[發明專利]一種改善DKDP晶體普克爾盒性能的方法無效

申請號：	201010254484.4	申請日：	2010-08-16
公開（公告）號：	CN101976798A	公開（公告）日：	2011-02-16
發明（設計）人：	李宇飛;褚宏偉;于正剛;劉學勇	申請（專利權）人：	山東大學;山東明順光電有限公司
主分類號：	H01S3/115	分類號：	H01S3/115;G02F1/03
代理公司：	濟南金迪知識產權代理有限公司 37219	代理人：	于冠軍
地址：	250100 山***	國省代碼：	山東;37
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	一種改善 dkdp 晶體克爾性能方法
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【權利要求書】：

1.一種改善DKDP晶體普克爾盒性能的方法，其特征是：在電光晶體的兩端除了分別設有一個環狀主電極以外，再分別增設一個環狀輔助電極，使晶體的每一端均帶有一個主電極和一個輔助電極，輔助電極在主電極與電光晶體端面之間，并且輔助電極與主電極隔開，晶體每端的輔助電極與主電極之間以及兩個輔助電極之間均設有分壓電阻，這樣當主電極之間加上電壓V時，通過分壓電阻實現在主電極與輔助電極之間加上一個輔助電壓，利用環狀電極的電壓特性，輔助電極產生的電壓會彌補雙電極晶體端面電壓的不均性。

下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。

免登錄下載普通用戶下載升級VIP會員，免費下載

該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于山東大學;山東明順光電有限公司，未經山東大學;山東明順光電有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】

本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010254484.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。