[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制造方法

無效

• 申請號: 201010253947.5
• 申請日: 2010-08-12
• 公開（公告）號: CN102013432A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發明（設計）人: 崔鐘炫
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L29/786;H01L29/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 陳萬青;王珍仙

技術領域

本發明的實施方式涉及有機發光二極管(OLED)顯示器及制造該有機發光二極管顯示器的方法。

背景技術

有機發光二極管(OLED)顯示器是使用有機發光二極管顯示圖像的自發光顯示裝置。有機發光二極管顯示器與液晶顯示器(LCD)的不同之處在于不需要單獨的光源，并可具有較低的厚度和重量。此外，有機發光二極管顯示器可提供諸如低功耗、高亮度和短響應時間等有吸引力的特性，并已作為便攜式電子裝置的下一代顯示裝置。

發明內容

本發明的實施方式涉及有機發光二極管(OLED)顯示器及制造所述有機發光二極管顯示器的方法，它們基本克服了因現有技術的局限和缺陷而導致的一個或多個問題。

因此，實施方式的一個特點是提供了將氧化物半導體層和多晶硅半導體層一起使用的有機發光二極管顯示器。

因此，實施方式的另一個特點是提供一種顯示器，其中驅動晶體管可用氧化物薄膜晶體管形成，且其中非顯示區域的驅動電路、或者像素的開關或補償電路可用多晶硅薄膜晶體管形成。

至少一個以上和其它特點和優點可通過提供顯示器來實現，所述顯示器包括：基板主體；在所述基板主體上的第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管包括第一柵極、在所述第一柵極上的第一半導體層、第一源極和第一漏極，所述第一柵極包括多晶硅；和在所述基板主體上的第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管包括第二半導體層、在所述第二半導體層上的第二柵極、第二源極和第二漏極，所述第二半導體層包括多晶硅，并與所述第一柵極在同一平面上。

所述第一半導體層可在所述第一柵極上，且絕緣層可布置在所述第一半導體層和所述第一柵極之間；所述第二柵極可在所述第二半導體層上，且所述絕緣層可在所述第二柵極和所述第二半導體層之間延伸。

所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管可均包括在同一像素中。

至少一個以上和其它特點和優點還可通過提供顯示器來實現，所述顯示器包括：基板主體；在所述基板主體上的第一柵極，所述第一柵極包括多晶硅；在所述基板主體上的第二半導體層，所述第二半導體層包括多晶硅，并與所述第一柵極在同一平面內；柵絕緣層，所述柵絕緣層在所述第一柵極和所述第二半導體層上；在所述第一柵極上的第一半導體層，所述柵絕緣層位于所述第一半導體層和所述第一柵極之間；在所述第二半導體層上的第二柵極，所述柵絕緣層位于所述第二半導體層和所述第二半導體層之間；以及分別與所述第一半導體層和所述第二半導體層接觸的源極和漏極。

所述第一柵極和所述第二半導體層可均包括在同一像素中。

所述顯示器可進一步包括夾層絕緣層，所述夾層絕緣層位于所述第一半導體層和所述第二柵極上。第一源極和第一漏極可與所述第一半導體層接觸并穿透所述夾層絕緣層，且第二源極和第二漏極可與所述第二半導體層接觸并穿透所述夾層絕緣層和所述柵絕緣層。

所述第一半導體層可包括氧化物半導體。

所述氧化物半導體可包含氧(O)以及鎵(Ga)、銦(In)、鋅(Zn)和錫(Sn)中的一種或多種。

所述第二半導體層可包括溝道區、源區和漏區，所述第二柵極可與所述溝道區至少部分重疊，且所述源區和漏區可布置在所述溝道區的兩側。

所述第二半導體層的所述溝道區可包括未摻雜的多晶硅，且所述第二半導體層的所述源區和所述漏區可均包括摻雜雜質的多晶硅。

所述雜質可為P型雜質。

所述第一柵極可包括與所述第二半導體層的所述源區和漏區相同的摻雜雜質的多晶硅，且所述第一柵極可布置在與所述第二半導體層的所述源區和漏區相同的平面內。

至少一個以上和其它特點和優點還可通過提供制造有機發光二極管顯示器的方法來實現，所述方法包括：在基板主體上形成第一柵極，所述第一柵極包括多晶硅；在所述基板主體上形成第二半導體層，所述第二半導體層包括多晶硅，并與所述第一柵極形成在同一平面上；形成柵絕緣層，所述柵絕緣層形成在所述第一柵極和所述第二半導體層上；在所述第一柵極上形成第一半導體層，所述柵絕緣層位于所述第一半導體層和所述第一柵極之間；在所述第二半導體層上形成第二柵極，所述柵絕緣層位于所述第二柵極和所述第二半導體層之間；以及形成分別與所述第一半導體層和所述第二半導體層接觸的源極和漏極。所述方法可進一步包括使多晶硅層圖案化以由所述多晶硅層形成第一柵極前體和第二半導體層前體；以及將雜質摻雜到所述第一柵極前體和所述第二半導體層前體中以分別形成所述第一柵極和所述第二半導體層。所述第一半導體層可形成在所述柵絕緣層上，使得所述第一半導體層與所述第一柵極至少部分重疊，且所述第二柵極可形成在所述柵絕緣層上，使得所述第二柵極與所述第二半導體層至少部分重疊。