[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制造方法

無效

• 申請號: 201010253947.5
• 申請日: 2010-08-12
• 公開（公告）號: CN102013432A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發明（設計）人: 崔鐘炫
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L29/786;H01L29/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 陳萬青;王珍仙

1.一種有機發光二極管顯示器，包括：

基板主體；

在所述基板主體上的第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管包括：

第一柵極，所述第一柵極包括多晶硅，

在所述第一柵極上的第一半導體層，

第一源極，和

第一漏極；以及

在所述基板主體上的第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管包括：

第二半導體層，所述第二半導體層包括多晶硅，并與所述第一柵極在同一平面上，

在所述第二半導體層上的第二柵極，

第二源極，和

第二漏極。

2.如權利要求1所述的有機發光二極管顯示器，其中：

所述第一半導體層在所述第一柵極上，且絕緣層布置在所述第一半導體層和所述第一柵極之間，且

所述第二柵極在所述第二半導體層上，且所述絕緣層在所述第二柵極和所述第二半導體層之間延伸。

3.如權利要求1所述的有機發光二極管顯示器，其中所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管包括在同一像素中。

4.一種有機發光二極管顯示器，包括：

基板主體；

在所述基板主體上的第一柵極，所述第一柵極包括多晶硅；

在所述基板主體上的第二半導體層，所述第二半導體層包括多晶硅，并與所述第一柵極在同一平面內；

柵絕緣層，所述柵絕緣層在所述第一柵極和所述第二半導體層上；

在所述第一柵極上的第一半導體層，所述柵絕緣層位于所述第一半導體層和所述第一柵極之間；

在所述第二半導體層上的第二柵極，所述柵絕緣層位于所述第二柵極和所述第二半導體層之間；以及

分別與所述第一半導體層和所述第二半導體層接觸的源極和漏極。

5.如權利要求4所述的有機發光二極管顯示器，其中所述第一柵極和所述第二半導體層包括在同一像素中。

6.如權利要求4所述的有機發光二極管顯示器，進一步包括夾層絕緣層，所述夾層絕緣層位于所述第一半導體層和所述第二柵極上，其中：

第一源極和第一漏極與所述第一半導體層接觸并穿透所述夾層絕緣層，且

第二源極和第二漏極與所述第二半導體層接觸并穿透所述夾層絕緣層和所述柵絕緣層。

7.如權利要求4所述的有機發光二極管顯示器，其中所述第一半導體層包括氧化物半導體。

8.如權利要求7所述的有機發光二極管顯示器，其中所述氧化物半導體包含氧以及選自由鎵、銦、鋅和錫構成的組中的至少一種元素。

9.如權利要求7所述的有機發光二極管顯示器，其中：

所述第二半導體層包括溝道區、源區和漏區，

所述第二柵極與所述溝道區至少部分重疊，且

所述源區和漏區布置在所述溝道區的兩側。

10.如權利要求9所述的有機發光二極管顯示器，其中：

所述第二半導體層的所述溝道區包括未摻雜的多晶硅，且

所述第二半導體層的所述源區和所述漏區均包括摻雜雜質的多晶硅。

11.如權利要求10所述的有機發光二極管顯示器，其中所述雜質是P型雜質。

12.如權利要求10所述的有機發光二極管顯示器，其中：

所述第一柵極包括與所述第二半導體層的所述源區和漏區相同的摻雜雜質的多晶硅，且

所述第一柵極布置在與所述第二半導體層的所述源區和漏區相同的平面內。

13.一種制造有機發光二極管顯示器的方法，所述方法包括：

在基板主體上形成第一柵極，所述第一柵極包括多晶硅；

在所述基板主體上形成第二半導體層，所述第二半導體層包括多晶硅，并與所述第一柵極形成在同一平面上；

形成柵絕緣層，所述柵絕緣層形成在所述第一柵極和所述第二半導體層上；

在所述第一柵極上形成第一半導體層，所述柵絕緣層位于所述第一半導體層和所述第一柵極之間；

在所述第二半導體層上形成第二柵極，所述柵絕緣層位于所述第二柵極和所述第二半導體層之間；以及

形成分別與所述第一半導體層和所述第二半導體層接觸的源極和漏極。