[發明專利]一種構造低介電常數介質材料表面形貌的方法

無效

• 申請號: 201010253667.4
• 申請日: 2010-08-16
• 公開（公告）號: CN101937871A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發明（設計）人: 沈臻魁;宗兆翔;劉冉
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種構造低介電常數介質材料表面形貌的方法，其特征在于具體步驟如下：

（1）在襯底上淀積低介電常數介質材料薄膜；

（2）用表面具有一定形貌圖形的壓印模具壓印低介電常數介質材料薄膜；在薄膜上得到圖形形貌；

（3）對所壓印的介質材料進行薄膜固化成型。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述的低介電常數介質材料為HSQ、?MSQ、特氟龍或PPLK。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于步驟（1）中所述的淀積方法為旋涂或滴定。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于步驟（2）中所述的壓印為納米壓印或機械壓印。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于步驟（3）中所述的固化為紫外固化，或加熱固化。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述襯底為硅、玻璃或晶圓。