[發明專利]具有傳感器的掩膜版盒

有效

• 申請號: 201010250997.8
• 申請日: 2010-08-09
• 公開（公告）號: CN102376606A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 古震維;呂紹瑋;林志銘
• 申請（專利權）人: 家登精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;G03F1/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

技術領域

本發明涉及用以存放半導體元件或掩膜版的容器，特別是關于一種掩膜版盒，通過配置在掩膜版盒中的感測裝置(特別是一種壓力傳感器)來判斷掩膜版盒是否被穩定地固定。

背景技術

近代半導體科技發展迅速，其中光刻技術(Optical?Lithography)扮演重要的角色，只要是關于圖形(pattern)定義，皆需依賴光刻技術。光刻技術在半導體的應用上，是將設計好的線路制作成具有特定形狀可透光的掩膜版。利用曝光原理，則光源通過掩膜版投影至硅片(silicon?wafer)可曝光顯示特定圖案。

產業界的趨勢是朝向生產較小的芯片以及/或于較大的晶圓上生產具較高邏輯密度以符合線寬越來越小的芯片。顯然地，掩膜版表面能被圖樣化的精密程度以及這圖樣能夠準確地復制于晶圓表面上的程度，此二者影響著半導體最終產品的質量。圖樣能被復制于晶圓上的分辨率(resolution)取決于用來投影于涂有光阻劑的晶圓表面上的紫外光波長。現時的光刻器具利用波長為193納米(nm)的深紫外光(deep?ultraviolet?light；DUV)，其允許具100nm等級的最小特征尺寸。目前已發展的器材利用157nm的遠紫外光(extreme?ultraviolet?light；EUV)，使得特征尺寸的分辨率小于70nm。

因此避免掩膜版表面受到污染物的污染是很重要的，該污染物能夠造成表面的傷害或者使得在過程中投影到光刻膠的圖樣失真(distort)，因此導致不良質量的最終產品。傳統的掩膜版表面具有一層薄、光學透明的薄膜，并依附支撐于一框架，并附著于掩膜版上。其目的在于密封外來污染物以及減少可能由遷移至圖案樣版的污染物所引起的印痕缺陷。然而，極遠紫外光利用來自圖樣化表面的反射，與深紫外光光刻利用傳輸的掩膜版特性相反。目前，傳統技術尚無法提供遠紫外光穿透的薄膜材料。因此，使用于遠紫外光光刻中的反射式掩膜版較傳統光刻中使用的掩膜版容易受到更大程度的污染與傷害。這情形對于預定用于遠紫外光光刻，用以接收、儲存、運輸及裝運晶圓的任何容器，增加了功能上強化的要求。

因此，為了減少在儲存、制造、運輸期間所產生的污染，在現有技術已發展的隔絕技術，是以一內部容器來承載掩膜版，并再以一外部容器將內部容器固定于其中的掩膜版盒，請參考圖6。如圖6所示，通過一內部容器的下蓋c與內部容器之上蓋d將掩膜版e蓋合并固定于其中，之后再以一外部容器的下蓋a與外部容器之上蓋b將內部容器蓋合并固定于其中。在遠紫外光的曝光工藝中，需于曝光設備中將內部容器自外部容器取出，之后再將掩膜版自內部容器取出以進行曝光。因此，在進行曝光工藝期間，內部容器與外部容器是需要被分離或是蓋合的；然而，在此曝光工藝期間，操作人員卻無法得知非透明的外部容器中是否有內部容器存在，或者是否有無確實已將內部容器蓋緊，在此不確定的情況下，很容易導致內部容器脫落或遺失，使得掩膜版損害而造成成本損失。有鑒于此，本發明提供一種具有可以感測外部容器與內部容器間的壓力的掩膜版盒。

發明內容

依據上述的說明，本發明的一主要目的是提供一種于外部容器與內部容器間配置壓力傳感器的掩膜版盒，利用設置于外部容器至內部容器之間的壓力傳感器來感測，經由與壓力傳感器電性連接的燈號來判讀外部容器是否已固定內部容器。

本發明的另一主要目的，是提供一種于外部容器與內部容器間配置壓力傳感器的掩膜版盒，利用設置于外部容器至內部容器之間的壓力傳感器，將內部容器穩固于外部容器中，以避免搖晃及碰撞對掩膜版所產生的損壞。

發明的再另一主要目的，是提供一種于外部容器與內部容器間配置溫濕度傳感器的掩膜版盒，利用設置于外部容器至內部容器之間的溫濕度測量裝置來測量掩膜版盒內部的環境狀況，避免過高或過低的溫濕度污染內部的掩膜版。

基于上述的目的，本發明首先提供一種配置于掩膜版盒內的壓力傳感器及溫濕度測量裝置，掩膜版盒由具有一第一內表面的下蓋板與一具有第二內表面之上蓋板所組成，該下蓋板與該上蓋板蓋合時，第一內表面與第二內表面形成一第一容置空間；位于第一容置空間中配置一具有一子第一內表面的子下蓋板與一具有一子第二內表面的子上蓋板，該子第一內表面與該子第二內表面形成一第二容置空間；多個壓力傳感器貫穿于上蓋板的外表面至第二內表面的多個貫穿孔，且其感應端位于第二內表面至子上蓋板的子外表面之間。