[發明專利]一種體硅刻蝕和金硅鍵合復合工藝方法有效
| 申請號： | 201010250781.1 | 申請日： | 2010-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN101913553A | 公開（公告）日： | 2010-12-15 |
| 發明（設計）人： | 杜曉松;廖明杰;王力;蔣亞東;嚴炎;郝敏 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 刻蝕 金硅鍵合 復合 工藝 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種體硅刻蝕和金硅鍵合復合工藝方法，其特征在于，包括以下步驟：
①在第一硅片上制作圖案化的Cr/Au或Ti/Au薄膜作為體硅刻蝕的掩模；
②對第一硅片進行濕法或干法刻蝕，形成體硅微結構；
③將第二硅片置于上述已形成圖形結構的第一硅片上，利用共晶鍵合技術實現第一硅片和第二硅片的鍵合。
2.根據權利要求1所述的體硅刻蝕和金硅鍵合復合工藝方法，其特征在于，在步驟①中采用金屬剝離或金屬濕法腐蝕法形成Cr/Au或Ti/Au薄膜的掩模圖案。
3.根據權利要求1和2任一所述的體硅刻蝕和金硅鍵合復合工藝方法，其特征在于，Cr/Au或Ti/Au薄膜的制備方法包括真空蒸發方法或濺射方法。
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