[發明專利]閘柵極介電層的制造方法有效
| 申請號： | 201010250775.6 | 申請日： | 2010-08-10 |
| 公開（公告）號： | CN102222611A | 公開（公告）日： | 2011-10-19 |
| 發明（設計）人： | 李威養;于雄飛;陳建豪;侯承浩;李達元;許光源 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/283 | 分類號： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陳晨 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柵極 介電層 制造 方法 | ||
1.一種高介電常數介電層的制造方法，包括：
形成一高介電常數介電層于一基材上；
以一原子層沉積工藝形成一含氧層于該高介電常數介電層上；以及
于該含氧層上進行一惰性等離子體處理。
2.如權利要求1所述的高介電常數介電層的制造方法，其中該含氧層的氧源化學品擇自下列材料組成的群組：氧氣、臭氧、水及過氧化氫。
3.如權利要求1所述的高介電常數介電層的制造方法，其中該形成一高介電常數介電層于一基材上的步驟及該以原子層沉積工藝形成一含氧層于該高介電常數介電層上的步驟使用不同的氧源化學品。
4.如權利要求1所述的高介電常數介電層的制造方法，其中在該含氧層上進行一惰性等離子體處理的步驟使用氮氣、氬氣、氦氣至少其一作為氣體源。
5.如權利要求1所述的高介電常數介電層的制造方法，其中該于該含氧層上進行一惰性等離子體處理的步驟在約100mTorr至10Torr的壓力及約20W至500W的電源功率下進行。
6.一種半導體裝置的柵極介電層的制造方法，包括：
以一第一原子層沉積工藝在一基材上形成一氧化鉿層，作為一柵極介電層；
以一第二原子層沉積工藝形成一不含金屬元素的含氧層于該氧化鉿層上；以及
于該含氧層上進行一惰性等離子體工藝。
7.如權利要求6所述的半導體裝置的柵極介電層的制造方法，其中在該第一及第二原子層沉積工藝使用不同的氧源化學品。
8.如權利要求6所述的半導體裝置的柵極介電層的制造方法，其中該含氧層的氧源化學品擇自下列材料組成的群組：氧氣、臭氧、水及過氧化氫。
9.如權利要求6所述的半導體裝置的柵極介電層的制造方法，其中該于該含氧層上進行一惰性等離子體處理的步驟使用氮氣、氬氣、氦氣至少其一作為氣體源。
10.如權利要求6所述的高介電常數介電層的制造方法，其中該于該含氧層上進行一惰性等離子體處理的步驟在約100mTorr至10Torr的壓力及約20W至500W的電源功率下進行。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
