[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010250728.1
• 申請(qǐng)日: 2010-08-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102376625A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王文武;趙超;王曉磊;陳大鵬
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768;H01L23/52
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 馬佑平

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括：

A、提供半導(dǎo)體襯底以及在其上形成的柵極區(qū)；

B、覆蓋所述柵極區(qū)兩側(cè)的襯底以形成層間介質(zhì)層；

C、在所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成開(kāi)口；

D、利用所述開(kāi)口刻蝕所述襯底，以形成填充區(qū)；

E、在所述填充區(qū)內(nèi)形成嵌入源/漏區(qū)，以及在所述開(kāi)口內(nèi)、嵌入源/漏區(qū)上形成提升區(qū)；

F、在所述提升區(qū)上形成填滿所述開(kāi)口的接觸塞，其中所述接觸塞包括納米級(jí)金屬催化顆粒以及其上的碳納米管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在所述步驟A和B之間還包括：在所述柵極區(qū)兩側(cè)的襯底內(nèi)形成淺摻雜區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述步驟E還包括：硅化所述提升區(qū)以形成金屬化合物層，以減小接觸電阻。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述接觸塞還包括：形成于碳納米管間的固化劑層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述接觸塞的步驟包括：在所述器件的水平表面上形成催化金屬顆粒，其中所述水平表面為與所述襯底表面平行的面；在所述催化金屬顆粒上形成碳納米管；在所述器件及所述碳納米管間形成固化劑層；平坦化所述器件暴露柵極區(qū)，以在開(kāi)口內(nèi)形成接觸塞。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中形成所述碳納米管的方法包括：化學(xué)氣相沉積方法、電弧放電方法或激光燒灼法。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述固化劑層包括：SOG旋壓玻璃或金屬材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，對(duì)于n型器件，所述催化金屬顆粒包括稀土金屬，所述稀土金屬包括：Sc或Y，或其組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，對(duì)于p型器件，所述催化金屬顆粒包括：Pd、Co、Ti或Pt，或其組合。

10.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括：

A、提供半導(dǎo)體襯底，以及在其上形成柵極區(qū)，以及在所述柵極區(qū)兩側(cè)的襯底內(nèi)形成源/漏摻雜區(qū)；

B、覆蓋所述源/漏摻雜區(qū)以形成層間介質(zhì)層；

C、在所述層間介質(zhì)層內(nèi)、源/漏摻雜區(qū)上形成開(kāi)口；

D、在所述源/漏摻雜區(qū)上形成填滿所述開(kāi)口的接觸塞，其中所述接觸塞包括納米級(jí)金屬催化顆粒以及其上的碳納米管。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，所述步驟A還包括：在所述柵極區(qū)兩側(cè)的襯底內(nèi)形成淺摻雜區(qū)。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，所述步驟A還包括：硅化所述源/漏區(qū)的襯底形成金屬化合物層，以減小接觸電阻。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述接觸塞還包括：形成于碳納米管間的固化劑層。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中形成所述接觸塞的步驟包括：在所述器件的水平表面上形成催化金屬顆粒，其中所述水平表面為與所述襯底表面平行的面；在所述催化金屬顆粒上形成碳納米管；在所述器件及所述碳納米管間形成固化劑層；平坦化所述器件暴露柵極區(qū)，以在開(kāi)口內(nèi)形成接觸塞。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述碳納米管的方法包括：化學(xué)氣相沉積方法、電弧放電方法或激光燒灼法。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述固化劑層包括：SOG旋壓玻璃或金屬材料。

17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，對(duì)于n型器件，所述催化金屬顆粒包括稀土金屬，所述稀土金屬包括：Sc或Y，或其組合。

18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，對(duì)于p型器件，所述催化金屬顆粒包括：Pd、Co、Ti或Pt，或其組合。

19.一種半導(dǎo)體器件，所述器件包括：

半導(dǎo)體襯底以及在其上形成的柵極區(qū)；

形成于所述柵極區(qū)兩側(cè)的襯底上的層間介質(zhì)層；

形成于所述柵極區(qū)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)的源/漏區(qū)；

形成于所述源/漏區(qū)上的、層間介質(zhì)層內(nèi)的接觸塞，其中所述接觸塞包括納米級(jí)金屬催化顆粒以及其上的碳納米管。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中所述源/漏區(qū)包括嵌入式源/漏區(qū)，所述器件還包括形成于嵌入式源/漏區(qū)與接觸塞之間的提升區(qū)。