[發明專利]具區域保護層的發光二極管

無效

• 申請號: 201010250687.6
• 申請日: 2010-08-06
• 公開（公告）號: CN102376838A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 江彥志
• 申請（專利權）人: 隆達電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

技術領域

本發明涉及一種發光二極管，尤其涉及一種具有區域保護層的發光二極管，因此，對發光二極管的亮度以及接線接合力影響較少。

背景技術

發光二極管(Light?Emitting?Diode，LED)的發光原理是利用外加電壓，致使發光層中的電子以及空穴發生結合，并以光的型式將能量釋放。發光二極管因發光效率高、壽命長、體積小、低耗電以及色彩表現佳，在今日訴求環保節能的風氣下，廣泛地取代現有的發光光源。

圖1A顯示現有發光二極管的立體結構示意圖，于基板(substrate)10上，逐一以半導體工藝成長一發光迭層11，并于發光迭層11上形成一電極組12。其中，發光迭層11可自基板10側依序包含一N型半導體層111、一發光層112以及一P型半導體層113。其中，發光層112和P型半導體層113分別形成于N型半導體層111上的部分區域，使得N型半導體層111具一外露區域114。該電極組12則包含一N型電極121以及一P型電極122，該P型電極122形成于P型半導體層113上，其包含了一焊墊區123。該N型電極121則形成于該外露區域114，且N型電極121與發光層112以及P型半導體層113互不相接觸。該焊墊區123與N型電極121用以作為發光二極管1進行封裝程序的電氣接線位置。

請配合參閱圖1B與圖1C的俯視圖與剖視圖。在現有技術中，除焊墊區123與N型電極121的部分區域須裸露用以電氣接線外，發光迭層11上的發光表面會覆蓋一保護層(passivation?layer)13來作為保護。保護層13除可避免發光迭層11直接與環境接觸而受破壞外，也可作為電性絕緣，減少因打線偏移(wire?deformation)等因素所造成的漏電流(current?leakage)效應。

然而，如圖1B所示，除焊墊區123與N型電極121的部分區域裸露以外，現有技術中的保護層13是于發光表面全區域的層狀分布，如此易造成發光二極管1因保護層13的阻隔，而使光線受到干擾，進而降低發光二極管1的出光效率。此外，于封裝打線程序中，因保護層13覆蓋部分的N型電極121上表面，將使得N型電極121裸露用以接合的面積縮小，因而造成發光二極管1進行封裝打線時，N型電極121與金屬線間的打線接合力(bonding?force)隨之下降，并增加焊點脫落(pad?peeling)的風險。

發明內容

本發明的一目的在于提供一種具有區域保護層的發光二極管；其中保護層覆蓋于發光表面的部分區域，因此對發光二極管亮度、以及芯片與金屬線之間的打線接合力影響較少。

本發明提供一種具區域保護層的發光二極管。根據本發明一實施例的發光二極管，其包含一基板、一位于該基板之上的發光迭層、一位于該電極組之上的電極組以及一第一保護層。該發光迭層至少包含一N型半導體層、一發光層以及一P型半導體層，N型半導體層并包含一外露區域；該電極組包含一N型電極以及一P型電極。其中，該第一保護層分布于發光迭層對應于該N型電極的側壁，以覆蓋發光迭層側壁中P型半導體層以及N型半導體層間所形成的PN接面。

根據本發明提出的一實施例，本發明的發光二極管還包含一第二保護層，第二保護層分布于P型電極的非焊墊區區域，使得P型電極的焊墊區得以外露以供電性連接為準。

根據本發明提出的另一實施例中，本發明還包含一第三保護層，第三保護層分布于發光迭層除了與該外露區域交界的側壁之外的三周側壁，以覆蓋發光迭層側壁周緣中N型半導體層與P型半導體層間所形成的PN接面，以減少碎屑對PN接面的影響。

其中，該第一保護層的材質選自由氮化硅、氧化硅及氮氧化硅所組成的群組中的任一。

其中，該第一保護層的分布區域是通過半導體工藝定義并成長出其區域圖形。

其中，該第一保護層及第二保護層的厚度小于0.5μm。

其中，該第二保護層的材質選自由氮化硅、氧化硅及氮氧化硅所組成的群組中的任一。

其中，該第二保護層的分布區域是通過半導體工藝定義并成長出其區域圖形。

其中，該第三保護層的材質選自由氮化硅、氧化硅及氮氧化硅所組成的群組中的任一。

其中，該第三保護層的分布區域是通過半導體工藝定義并成長出其區域圖形。

其中，該第三保護層的厚度小于0.5μm。

因本發明的保護層為區域性覆蓋，因此對于發光二極管亮度影響較小，且電極組的接線區域未有覆蓋，因此打線接合力(bonding?force)也未因電極組裸露面積減少而受到影響。