[發明專利]具區域保護層的發光二極管無效
| 申請號： | 201010250687.6 | 申請日： | 2010-08-06 |
| 公開（公告）號： | CN102376838A | 公開（公告）日： | 2012-03-14 |
| 發明（設計）人： | 江彥志 | 申請（專利權）人： | 隆達電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/44 | 分類號： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁揮;鮑俊萍 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 區域 保護層 發光二極管 | ||
1.一種具區域保護層的發光二極管，其特征在于，包含：
一發光迭層，該發光迭層至少包含一N型半導體層、一發光層以及一P型半導體層，其中該N型半導體層還包含一外露區域；
一位于該發光迭層之上的電極組；該電極組包含一N型電極以及一P型電極；以及
一第一保護層，其中該第一保護層分布于該發光迭層對應于該N型電極的側壁，以覆蓋該P型半導體層以及該N型半導體間所形成的PN接面。
2.根據權利要求1所述的具區域保護層的發光二極管，其特征在于，該第一保護層的材質選自由氮化硅、氧化硅及氮氧化硅所組成的群組中的任一。
3.根據權利要求1所述的具區域保護層的發光二極管，其特征在于，該第一保護層的分布區域是通過半導體工藝定義并成長出其區域圖形。
4.根據權利要求1所述的具區域保護層的發光二極管，其特征在于，還包含一第二保護層，該第二保護層分布于該P型電極的一非焊墊區。
5.根據權利要求4所述的具區域保護層的發光二極管，其特征在于，該第一保護層及第二保護層的厚度小于0.5μm。
6.根據權利要求4所述的具區域保護層的發光二極管，其特征在于，該第二保護層的材質選自由氮化硅、氧化硅及氮氧化硅所組成的群組中的任一。
7.根據權利要求4所述的具區域保護層的發光二極管，其特征在于，該第二保護層的分布區域是通過半導體工藝定義并成長出其區域圖形。
8.根據權利要求1所述的具區域保護層的發光二極管，其特征在于，還包含一第三保護層，該第三保護層分布于該發光迭層該第一保護層之外的周緣側壁，以覆蓋該發光迭層側壁周緣中該N型半導體層與該P型半導體層間所形成的PN接面。
9.根據權利要求8所述的具區域保護層的發光二極管，其特征在于，該第三保護層的材質選自由氮化硅、氧化硅及氮氧化硅所組成的群組中的任一。
10.根據權利要求8所述的具區域保護層的發光二極管，其特征在于，該第三保護層的分布區域是通過半導體工藝定義并成長出其區域圖形。
11.根據權利要求8所述的具區域保護層的發光二極管，其特征在于，該第三保護層的厚度小于0.5μm。
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