[發明專利]嵌埋有半導體元件的封裝結構及其制法

有效

• 申請號: 201010250039.0
• 申請日: 2010-08-04
• 公開（公告）號: CN102376675A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 曾昭崇
• 申請（專利權）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/495;H01L21/60
• 代理公司: 北京市中聯創和知識產權代理有限公司 11364
• 代理人: 王玉雙;張松林

1.一種嵌埋有半導體元件的封裝結構，其特征在于，包括：

基板，具有相對的第一表面與第二表面、及貫穿該第一與第二表面的開口，且該基板由多個第一介電層相疊合所構成，各該第一介電層中設有多個貫穿的開槽以嵌設多個導體架，而各該導體架具有設在該開槽中的壁部及延伸至該第一介電層表面的頂部，且相鄰的該第一介電層中的導體架通過該壁部的底端與該頂部的頂端相連接；以及

半導體芯片，設在該開口中，且該半導體芯片具有作用面，該作用面上具有多個電極墊，而所述多個電極墊外露在該基板的第一表面。

2.如權利要求1所述的嵌埋有半導體元件的封裝結構，其特征在于，彼此連接的所述多個導體架的壁部的設置沿該基板的第二表面向第一表面的方向逐漸接近該開口。

3.如權利要求2所述的嵌埋有半導體元件的封裝結構，其特征在于，所述壁部向該開口接近的幅度逐漸增大或逐漸減小。

4.如權利要求1所述的嵌埋有半導體元件的封裝結構，其特征在于，彼此連接的所述多個導體架的壁部的設置沿該基板的第二表面向第一表面的方向逐漸遠離該開口。

5.如權利要求4所述的嵌埋有半導體元件的封裝結構，其特征在于，所述壁部向該開口遠離的幅度逐漸增大或逐漸減小。

6.如權利要求1所述的嵌埋有半導體元件的封裝結構，其特征在于，該導體架的頂部延伸至該第一介電層的全部表面，位在各該第一介電層中的壁部等間距地設置，且相鄰的第一介電層中的壁部交錯地設置。

7.如權利要求1所述的嵌埋有半導體元件的封裝結構，其特征在于，還包括導體散熱部，設在該基板的第二表面，且該導體散熱部連接相鄰的該第一介電層中的導體架。

8.如權利要求1所述的嵌埋有半導體元件的封裝結構，其特征在于，所述壁部的平面形狀為同心的菱形分布。

9.如權利要求1所述的嵌埋有半導體元件的封裝結構，其特征在于，所述壁部的平面形狀為同心的圓形分布。

10.如權利要求1所述的嵌埋有半導體元件的封裝結構，其特征在于，所述壁部的平面形狀為網狀分布。

11.如權利要求10所述的嵌埋有半導體元件的封裝結構，其特征在于，該網狀為矩形或六角形所構成。

12.如權利要求1所述的嵌埋有半導體元件的封裝結構，其特征在于，還包括增層結構，設在該基板的第一表面與半導體芯片的作用面上，該增層結構包括至少一第二介電層、設在該第二介電層上的線路層、與多個設在該第二介電層中的導電盲孔，部分導電盲孔電性連接該線路層及各該電極墊，且該增層結構最外層的線路層還具有多個電性接觸墊，又在該增層結構最外層上設有絕緣保護層，且該絕緣保護層具有多個絕緣保護層開孔，以使各該電性接觸墊對應外露在各該絕緣保護層開孔。

13.如權利要求12所述的嵌埋有半導體元件的封裝結構，其特征在于，至少一該導電盲孔與該基板的第一表面上的導體架的頂部的頂端相連接。

14.一種嵌埋有半導體元件的封裝結構的制法，其特征在于，包括：

提供一基板，具有相對的第一表面與第二表面、及貫穿該第一與第二表面的開口，且該基板由多個第一介電層相疊合所構成，各該第一介電層中形成有貫穿的開槽以嵌設多個導體架，而該導體架具有設在各該開槽中的壁部及延伸至該第一介電層表面的頂部，且相鄰的該第一介電層中的導體架通過該壁部的底端與該頂部的頂端相連接；以及

將半導體芯片埋置且固定在該開口中，且該半導體芯片具有作用面，該作用面上具有多個電極墊，且所述多個電極墊外露在該基板的第一表面。

15.如權利要求14所述的嵌埋有半導體元件的封裝結構的制法，其特征在于，彼此連接的所述多個導體架的壁部的設置沿該基板的第二表面向第一表面的方向逐漸接近該開口。

16.如權利要求15所述的嵌埋有半導體元件的封裝結構的制法，其特征在于，所述壁部向該開口接近的幅度逐漸增大或逐漸減小。

17.如權利要求14所述的嵌埋有半導體元件的封裝結構的制法，其特征在于，彼此連接的所述多個導體架的壁部的設置沿該基板的第二表面向第一表面的方向逐漸遠離該開口。