[發明專利]形成QFN集成電路封裝的可焊接側表面端子的方法

有效

• 申請號: 201010248616.2
• 申請日: 2010-08-06
• 公開（公告）號: CN102024721A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 肯尼思·J·許寧
• 申請（專利權）人: 美士美積體產品公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 孟銳

1.一種形成集成電路(IC)封裝的方法，其包含：

a)從所述IC封裝的端子的側表面移除氧化物；

b)大致覆蓋所述IC封裝的所述端子的底側；以及

c)在覆蓋所述IC封裝的所述端子的所述底側的同時，在所述IC封裝的所述端子的所述側表面上形成焊料涂層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述端子的所述底側包含可焊接涂層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中大致覆蓋所述端子的所述底側包含將所述IC封裝置于墊片上。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述墊片包含順從性或彈性材料。

5.根據權利要求3所述的方法，其中所述墊片包含橡膠或硅酮材料。

6.根據權利要求1所述的方法，其中大致覆蓋所述端子的所述底側包含將所述IC封裝的底側牢固地附接到覆蓋物。

7.根據權利要求6所述的方法，其中將所述IC封裝的所述底側牢固地附接到所述覆蓋物包含使用機械裝置抵靠著所述覆蓋物偏置所述IC封裝。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述機械裝置包含夾子。

9.根據權利要求1所述的方法，其中從所述IC封裝的所述端子的所述側表面移除氧化物包含使所述端子的所述側表面暴露于助溶劑。

10.根據權利要求1所述的方法，其中在步驟b)之前執行步驟a)。

11.根據權利要求1所述的方法，其中在步驟b)之后執行步驟a)。

12.根據權利要求1所述的方法，其中在大致覆蓋所述端子的所述底側的同時，執行從所述端子的所述側表面移除氧化物。

13.根據權利要求1所述的方法，其中在所述IC封裝的所述端子的所述側表面上形成所述焊料涂層包含：

將所述IC封裝預加熱到與焊料浴的溫度大致相同的溫度；以及

使所述IC封裝的所述端子的所述側表面經受所述焊料浴以形成所述焊料涂層。

14.根據權利要求13所述的方法，其中在所述IC封裝的所述端子的所述側表面上形成所述焊料涂層進一步包含允許所述IC封裝從所述焊料浴的大致溫度冷卻。

15.根據權利要求1所述的方法，其進一步包含清潔所述IC封裝以從中移除助溶劑殘余物。

16.根據權利要求1所述的方法，其進一步包含清潔所述IC封裝以從中移除焊料殘余物。

17.根據權利要求1所述的方法，其進一步包含激光標記所述IC封裝。

18.根據權利要求1所述的方法，其進一步包含對所述IC封裝執行電測試。

19.根據權利要求1所述的方法，其中所述IC封裝包含四邊無引線框架(QFN)IC封裝。

20.根據權利要求1所述的方法，其中所述IC封裝包含薄四邊無引線框架(TQFN)IC封裝。

21.根據權利要求1所述的方法，其進一步包含在執行步驟a)、b)和c)之前執行單片化過程以形成所述IC封裝。

22.一種處理多個IC封裝的方法，其包含：

從經附接IC封裝陣列形成多個個別IC封裝；以及

在所述個別IC封裝的端子的側表面上形成焊料涂層。

23.根據權利要求22所述的方法，其中從經附接IC封裝陣列形成多個個別IC封裝包含沿著連接到經附接IC封裝的鄰近行的一個或一個以上引線框架切割所述陣列。

24.根據權利要求22所述的方法，其進一步包含在所述經附接IC封裝的每一端子的底側上形成可焊接鍍層。

25.根據權利要求22所述的方法，其進一步包含從所述個別IC封裝的端子的側表面移除氧化物。

26.根據權利要求22所述的方法，其進一步包含以交替方式形成所述個別IC封裝與覆蓋物的堆疊。

27.根據權利要求26所述的方法，其進一步包含使所述堆疊經受用以從所述經堆疊個別IC封裝的端子的側表面移除氧化物的過程。