[發(fā)明專利]真空鍍膜件及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010245062.0
• 申請(qǐng)日: 2010-08-04
• 公開（公告）號(hào): CN102345102A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;馬闖
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/06;C23C14/16
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種真空鍍膜件，包括一基體及一形成于基體上的顏色層，其特征在于：該顏色層為一TiCN層，所述顏色層呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE?LAB表色系統(tǒng)的L^*坐標(biāo)介于36至48之間，a^*坐標(biāo)介于4至5之間，b^*坐標(biāo)介于2至4之間。

2.如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜件，其特征在于：所述顏色層的厚度為0.5～3μm。

3.如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜件，其特征在于：該真空鍍膜件還包括一形成于基體與顏色層之間的襯底層，該襯底層為一鈦層。

4.如權(quán)利要求3所述的真空鍍膜件，其特征在于：該襯底層的厚度為0.05～0.2μm。

5.如權(quán)利要求1所述的真空鍍膜件，其特征在于：該基體的材質(zhì)為不銹鋼、鋁合金、或鎂合金。

6.一種真空鍍膜件的制備方法，包括以下步驟：

提供一基體；

使用一鈦靶，通入流量為40～80sccm的氮?dú)饧傲髁繛?～20sccm的乙炔氣體，通過磁控濺射鍍膜方法在基體上形成一顏色層，該顏色層為一TiCN層，其厚度為0.5～3μm，呈現(xiàn)的色度區(qū)域于CIE?LAB表色系統(tǒng)L^*坐標(biāo)介于36至48之間，a^*坐標(biāo)介于4至5之間，b^*坐標(biāo)介于2至4之間。

7.如權(quán)利要求6所述的真空鍍膜件的制備方法，其特征在于：形成該顏色層時(shí)，對(duì)基體施加-10～-250V的偏壓。

8.如權(quán)利要求7所述的真空鍍膜件的制備方法，其特征在于：該顏色層的沉積時(shí)間為10～30min。

9.如權(quán)利要求6所述的真空鍍膜件的制備方法，其特征在于：該真空鍍膜件的制備方法還包括在形成顏色層前在基體上磁控濺射一鈦襯底層的步驟。

10.如權(quán)利要求9所述的真空鍍膜件的制備方法，其特征在于：形成該鈦襯底層的工藝參數(shù)為：以鈦靶為靶材，鈦靶的功率為8～11kw，氬氣的流量為100～200sccm，占空比為30～70％，濺射溫度為100～150，公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為2.0～5.0rpm，對(duì)基體施加的偏壓為-150～-200V，沉積時(shí)間為5～15min。