[發明專利]魔芋兩年制壟作免耕栽培技術

有效

• 申請號: 201010239314.9
• 申請日: 2010-07-28
• 公開（公告）號: CN101946600A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發明（設計）人: 盧俊;董坤;焦亞;吳康;趙琴;高祥伍;方順權;李樹平
• 申請（專利權）人: 云南省農科院富源魔芋研究所
• 主分類號: A01G1/00
• 分類號: A01G1/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種栽培技術，尤其是一種魔芋兩年制壟作免耕栽培技術，屬于農作物的栽培技術領域。

背景技術

魔芋生長發育時，根、莖、葉易受傷害，難以切斷病原菌初侵染源，魔芋栽培過程中的病害和連作仍是兩大難題。

發明內容

為解決魔芋栽培過程中的病害和連作等問題，本發明提供一種魔芋兩年制壟作的栽培技術，通過對魔芋進行兩年栽培，且第二年對土壤采取免耕，并同時進行田間管理，實現減少病蟲害的效果。

一種魔芋兩年制壟作免耕栽培技術，其特征在于通過下列各步驟：

A.選擇50～100克的種芋進行壟作種植，種芋經精選后并消毒；

B.理墑起壟，墑面寬2米，在墑面上種6行，每條溝寬0.3～0.4米，溝深0.3～0.4米，行距0.25～0.3米，種植30～50克的種芋，株距0.2～0.3米，每畝播種5000～7000株；

C.播種時，在溝內施充分腐熟的農家肥，蓋土0.05～0.1米，每畝施用農家肥量為3～5噸；

D.魔芋種植結束后，澆水，平整墑面后噴施芽前除草劑；

E.在魔芋散葉前一次性施無機肥，其中添加鉀肥，并配合防病農藥、殺菌劑一起使用，施肥后進行清溝、培土、除草，封行后，采用噴施葉面肥磷酸二氫鉀或其他葉面肥，同時配合防病農藥使用；

F.在魔芋成熟倒苗前期撒播苕子綠肥；

G.第二年春季，在魔芋未出苗前對墑面雜草進行一次清理；

H.魔芋出苗后，一次性施無機肥或有機肥，并對壟溝進行清理培土，使溝深達到0.3～0.4米，清除弱株和病株，清除病株的塘內用生石灰清塘；

I.魔芋出苗散葉后，原30～50克的種芋生長膨大成200克以上的母芋，形成母苗并繁殖30克以下的子芋，構成子苗生長的多層立體結構的魔芋生態系統。

兩年制壟作免耕魔芋可收獲的產品有商品芋和種芋：500～1000克和1000克以上的兩種規格為商品芋，300～500克、200～300克、100～200克、50～100克、30～50克、10～30克、10克以下七種規格為種芋，經干燥脫去20％～30％水分后進行貯藏。

本發明達到的效果和優點：

采用兩年制壟作免耕栽培兩年的產量達到3～4噸以上。在投入物(化肥)和勞動力相同的情況下，實現少投入、節本增源的效果。本發明提供的方法能促進魔芋出苗早，比常規栽培提前7～10天；且能使魔芋病害封行早，有利于提前進行光合作用，形成更多的光合產物，發病率低；使魔芋產業瓶頸的大田生產問題中的病害和連作兩大難題得到有效解決；該方法的核心是減少對土壤的干擾，實行壟作免耕栽培，能夠減少土壤和侵蝕，改善地表水含量，保持土壤水分，改善土壤水滲透性能，減少土壤壓實，改善土壤耕性，增加土壤有機質含量，減輕病害危害，提高生物多樣化，減少勞動強度和時間，提高勞動生產力，改善農田生態環境。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明做進一步描述。

魔芋兩年制壟作免耕栽培技術，通過下列各步驟：

A.選擇50～100克的種芋進行壟作種植，種芋經精選后并消毒，確保種芋不帶病菌進入大田；

B.理墑起壟，墑面寬2米，在墑面上種6行，每條溝寬0.3～0.4米，溝深0.3～0.4米，行距0.3米，種植30～50克的種芋，株距0.2～0.3米，每畝播種5000～7000株；

C.播種時，在溝內施充分腐熟的農家肥，蓋土0.05～0.1米，每畝施用量為4噸；以間作套種玉米，在墑面正中間種植一行玉米，株距為0.5米；

D.魔芋種植結束后，澆水，平整墑面后噴施芽前除草劑；

E.在魔芋散葉前一次性施無機肥，其中需添加氮磷鉀復合肥，并配合防病農藥、殺菌劑一起使用，施肥后進行清溝、培土、除草，封行后采用噴施葉面肥磷酸二氫鉀或其他葉面肥，同時可配合防病農藥使用；實施覆蓋栽培，在魔芋封行前使用干草、蒿子或青草覆蓋，蓋草厚度0.08～0.1米，以起到控制雜草和保溫增濕作用；

F.在魔芋成熟倒苗前期撒播苕子綠肥，有利于地里種芋的水分調節與貯藏，起到培肥地力的作用，為下一年度魔芋生長提供營養；

G.第二年春季，在魔芋未出苗前對墑面雜草進行一次清理；在驚蟄至春分時期間作套種玉米，即可滿足對魔芋生長半山陰性環境的要求；玉米出苗后在3～4葉期早施提苗肥；