[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及發(fā)光二極管模組

無效

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• 申請日: 2010-07-28
• 公開（公告）號: CN102339941A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發(fā)明（設計）人: 詹勛偉;柯志勛;羅杏芬
• 申請（專利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L25/075
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括一基板，設于基板的第一表面上的一發(fā)光二極管芯片，與發(fā)光二極管芯片電連接的二電極，及密封發(fā)光二極管芯片的封裝體，其特征在于：所述基板的一第二表面上設有至少一溝槽。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述至少一溝槽與基板的邊沿連通。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述至少一溝槽呈曲線形、直線形或者網(wǎng)狀。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述至少一溝槽的至少部分表面上鍍有金屬。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基板上設有貫穿第一表面與第二表面的導電孔和導熱孔，導電孔和導熱孔內(nèi)分別填充導電物質(zhì)和導熱物質(zhì)。

6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基板上靠近發(fā)光二極管芯片的區(qū)域內(nèi)的導熱孔的密度比遠離發(fā)光二極管芯片的區(qū)域內(nèi)的導熱孔的密度大。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述至少一溝槽的深度為基板的厚度的1/5-1/2。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：還包括一基座，所述基座圍設在基板周圍，所述電極延伸至基座外并與基板的第二表面平齊。

9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基板包括交替設置的、高度不一的非導電物質(zhì)、導電物質(zhì)和導熱物質(zhì)，且非導電物質(zhì)、導電物質(zhì)和導熱物質(zhì)的高度差形成所述至少一溝槽。

10.一種發(fā)光二極管模組，包括板材及設置在板材上的至少一發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述至少一發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)為權(quán)利要求1-9中任意一項所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，且所述基板的第二表面貼設在所述板材上。