[發(fā)明專利]粘接帶粘貼方法和粘接帶粘貼裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010239061.5 | 申請日: | 2010-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN101969037A | 公開(公告)日: | 2011-02-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 山本雅之;奧野長平 | 申請(專利權(quán))人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 粘接帶 粘貼 方法 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及遍及半導(dǎo)體晶圓和環(huán)形框地粘貼支承用的粘接帶而將半導(dǎo)體晶圓保持在環(huán)形框上的粘接帶粘貼方法和粘接帶粘貼裝置。
背景技術(shù)
一般而言,在半導(dǎo)體晶圓(以下僅稱為“晶圓”)的正面形成多個元件的電路圖案后,在其正面粘貼保護帶來進行保護。在背面磨削工序中對正面被保護了的晶圓從背面進行磨削或研磨加工而使其成為所期望的厚度。在自薄型化了的晶圓剝離保護帶而將晶圓輸送到切割工序之前,為了加強晶圓,借助支承用的粘接帶(切割帶)將晶圓粘接保持在環(huán)形框上(參照日本國特開平2-28347號公報)。
根據(jù)所制造的半導(dǎo)體芯片的不同,保持于環(huán)形框上的晶圓的加工工序不同。例如,在對半導(dǎo)體芯片進行微細化時,進行激光切割處理。此時,若從形成有電路圖案的正面進行切割,則電路會因為受到熱的影響而損壞,所以需要在背面磨削處理之前從背面進行半切割(half?cut)。在將被半切割了的晶圓切斷(Breaking)后所得到的各芯片安裝到希望的位置時,因為用彈性夾頭(collet)從芯片正面吸附來進行輸送,所以要剝離正面的粘接帶和保護帶。僅將該被剝離了粘接帶等的晶圓輸送到另外的工序中,從背面?zhèn)戎匦抡迟N粘接帶再將該晶圓粘接保持在新的環(huán)形框上之后對晶圓進行切斷。換句話說,需要在切斷前將晶圓重新轉(zhuǎn)移到新的環(huán)形框上(參照日本國特開2006-278630號公報)。
此外,有時根據(jù)制造對象的半導(dǎo)體芯片不同而在保持于環(huán)形框上的狀態(tài)下清洗晶圓背面。這種情況也是在進行了清洗處理和干燥處理之后將晶圓重新轉(zhuǎn)移到環(huán)形框上而進行切斷。
可是,上述以往方法具有如下那樣的問題。
即,在背面磨削處理時和切割處理時,因為需要將晶圓粘接保持在不同的環(huán)形框上,所以需要準備晶圓的處理張數(shù)2倍的環(huán)形框。因此,作業(yè)和管理麻煩。
此外,也有人考慮利用1個環(huán)形框來重新轉(zhuǎn)移晶圓的方法。在這種情況下,因為環(huán)形框和晶圓的厚度較薄,所以有時新粘貼的粘接帶與將晶圓粘接保持在環(huán)形框上的粘接帶的露出面接觸。在該狀態(tài)下,若剝離剝離對象的粘接帶,則存在如下問題:難以剝離粘接帶而施加超過所需的力的拉力,從而損壞晶圓。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,能夠?qū)崿F(xiàn)粘接帶粘貼作業(yè)的效率化,并且能不損壞晶圓且可靠地將晶圓轉(zhuǎn)移到環(huán)形框上。
本發(fā)明為了達成這樣的目的,采用如下那樣的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的粘接帶粘貼方法是借助支承用的粘接帶將半導(dǎo)體晶圓粘接保持在環(huán)形框上的粘接帶粘貼方法,上述方法包括以下的工序:
帶粘貼工序,在從安裝框的背面粘貼第2粘接帶時,能一邊避免在半導(dǎo)體晶圓和環(huán)形框之間露出的兩粘接面之間相互粘接一邊粘貼第2粘接帶,該安裝框是遍及形成有電路圖案的上述半導(dǎo)體晶圓的正面和環(huán)形框的正面地粘貼第1粘接帶而形成的;
帶剝離工序,從背面粘貼有第2粘接帶的上述半導(dǎo)體晶圓的正面剝離第1粘接帶。
采用本發(fā)明的粘接帶粘貼方法,從晶圓背面將第2粘接帶粘貼到遍及形成有電路圖案的晶圓正面和環(huán)形框的正面地粘貼第1粘接帶而形成的安裝框上。之后,剝離正面?zhèn)鹊牡?粘接帶。即,在加工晶圓背面時和切割處理時,能夠?qū)⒕A粘接保持在同一個環(huán)形框上來進行處理。
此外,在從晶圓背面?zhèn)日迟N第2粘接帶時,避免在環(huán)形框和晶圓之間露出的兩粘接帶的粘接面之間相互接觸。因此,能避免在剝離第1粘接帶時因兩粘接帶的粘接而產(chǎn)生的晶圓的破損。
另外,在上述方法的帶剝離工序中,能夠以以下那樣的方式避免兩粘接面之間相互粘接。
例如,使能獨立升降的、用于載置保持半導(dǎo)體晶圓的晶圓保持臺和用于保持環(huán)形框的框保持臺上下相對地背離移動。
采用該方法,通過使晶圓保持臺和框保持臺背離移動,能獲得兩粘接帶的露出面彼此間的間隙。因此,能避免粘接帶之間相互接觸。
此外,從下方吸引所露出的第1粘接帶的粘接面的部分并使該露出部分彎曲,從而避免兩粘接面之間相互粘接。
采用該方法,通過從下方吸引第1粘接帶的露出部分,使該露出部分向下方彎曲,能獲得兩粘接帶的露出面彼此間的間隙。
此外,在半導(dǎo)體晶圓的正面?zhèn)日迟N紫外線固化性的第1粘接帶,對該第1粘接帶的露出的粘接面照射紫外線。
采用該方法,通過對第1粘接帶的露出部分照射紫外線而使粘接劑發(fā)生聚合反應(yīng)。換句話說,通過使粘接劑固化而使粘接力降低。因此,能避免兩粘接帶的牢固的粘接,所以能避免剝離第1粘接帶時晶圓的破損。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





