[發明專利]一種樹脂基底窄帶負濾光膜膜系、濾光片及其制備方法

有效

• 申請號: 201010237823.8
• 申請日: 2010-07-27
• 公開（公告）號: CN101900848A
• 公開（公告）日: 2010-12-01
• 發明（設計）人: 劉鳳玉
• 申請（專利權）人: 中國航空工業集團公司洛陽電光設備研究所
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20;B32B27/06;C23C14/30;C23C14/10;C23C14/06
• 代理公司: 鄭州睿信知識產權代理有限公司 41119
• 代理人: 陳浩

技術領域

?本發明涉及光學零件薄膜制造技術領域，具體涉及一種樹脂基底窄帶負濾光膜膜系，以及采用該膜系鍍制成的樹脂基底窄帶負濾光片及其制備方法。

背景技術

在光學薄膜范疇，將具有對某一窄的波帶范圍要求高反射率，反射帶外其它波段范圍要求高透射率特性的膜系稱之為窄帶負濾光膜膜系。尚未查找到用于樹脂基底的窄帶負濾光膜膜系、樹脂基底的窄帶負濾光片及其制備方法。

發明內容

本發明的目的在于提供一種樹脂基底窄帶負濾光膜膜系。

本發明的目的還在于提供一種樹脂基底窄帶負濾光片，同時，本發明的目的還在于提供一種該濾光片的制備方法。

為了實現以上目的，本發明所采用的技術方案是：一種樹脂基底窄帶負濾光膜膜系，該膜系由52層膜層組成，膜系的結構為：

??????????????Sub｜(0.35HL)ⁿ1.5H0.75L??

其中，Sub為樹脂基底，H為M2膜層，L為SiO₂膜層，n為周期數，取值為25；

與樹脂基底相鄰的膜層為第1層，在第1～50層膜層中，奇數層均為M2膜層，膜層的光學厚度均為70nm；偶數層均為SiO₂膜層，膜層的光學厚度均為200nm；

第51層為M2膜層，膜層的光學厚度為272nm；

第52層為SiO₂膜層，膜層的光學厚度為140nm。

一種樹脂基底窄帶負濾光片，是在樹脂基底上鍍制上述樹脂基底窄帶負濾光膜膜系，其膜系結構為：

??????????????Sub｜(0.35HL)ⁿ1.5H0.75L??

其中，Sub代表樹脂基底，H為M2膜層，L為SiO₂膜層，n為周期數，取值為25；

與樹脂基底相鄰的膜層為第1層，在第1～50層膜層中，奇數層均為M2膜層，膜層的光學厚度均為70nm；偶數層均為SiO₂膜層，膜層的光學厚度均為200nm；

第51層為M2膜層，膜層的光學厚度為272nm；

第52層為SiO₂膜層，膜層的光學厚度為140nm。

一種樹脂基底窄帶負濾光片的制備方法，包括以下步驟：

（1）清潔被鍍零件：對樹脂基底光學零件表面進行清潔處理；

（2）將被鍍零件放置入真空室內，抽真空到真空度高于2×10^-3?Pa，啟動離子源，對被鍍零件進行離子轟擊，轟擊時間為5～7分鐘，之后關斷離子源；

（3）鍍制第1層膜層，M2膜料由電子束進行蒸鍍，蒸鍍時真空度為1×10^-2?Pa～2×10^-2?Pa，蒸發速率為0.5nm/s～0.6nm/s，膜層的光學厚度控制為70nm，控制波長550～560nm；

（4）鍍制第2層膜層，SiO₂膜料由電子束進行蒸鍍，蒸鍍時真空度為9×10^-3?Pa～2×10^-2?Pa，蒸發速率為0.8nm/s～1nm/s，膜層的光學厚度控制為200nm，控制波長550～560nm；?

（5）依次重復步驟（3）和步驟（4），鍍制第3～50層膜層，其中奇數層均為M2膜層，膜層的光學厚度均為70nm，偶數層均為SiO₂膜層，膜層的光學厚度均為200nm，在鍍制過程中真空室溫度不高于60℃；

（6）?鍍制第51層膜層，M2膜料由電子束進行蒸鍍，蒸鍍時真空度為1×10^-2?Pa～2×10^-2?Pa，蒸發速率為0.5nm/s～0.6nm/s，膜層的光學厚度控制為272nm，控制波長520～546nm；

（7）鍍制第?52層膜層，SiO₂膜料由電子束進行蒸鍍，蒸鍍時真空度為9×10^-3?Pa～2×10^-2?Pa，蒸發速率為0.8nm/s～1nm/s，膜層的光學厚度控制為140nm，控制波長520～546nm；

（8）真空室冷卻至40℃以下，取出鍍制好膜系的樹脂基底窄帶負濾光片。