[發(fā)明專利]一種樹脂基底窄帶負(fù)濾光膜膜系、濾光片及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010237823.8
• 申請日: 2010-07-27
• 公開（公告）號: CN101900848A
• 公開（公告）日: 2010-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉鳳玉
• 申請（專利權(quán)）人: 中國航空工業(yè)集團(tuán)公司洛陽電光設(shè)備研究所
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20;B32B27/06;C23C14/30;C23C14/10;C23C14/06
• 代理公司: 鄭州睿信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 41119
• 代理人: 陳浩

1.一種樹脂基底窄帶負(fù)濾光膜膜系，其特征在于：該膜系由52層膜層組成，膜系的結(jié)構(gòu)為：

??????????????Sub｜(0.35HL)ⁿ1.5H0.75L??

其中，Sub為樹脂基底，H為M2膜層，L為SiO₂膜層，n為周期數(shù)，取值為25；

與樹脂基底相鄰的膜層為第1層，在第1～50層膜層中，奇數(shù)層均為M2膜層，膜層的光學(xué)厚度均為70nm；偶數(shù)層均為SiO₂膜層，膜層的光學(xué)厚度均為200nm；

第51層為M2膜層，膜層的光學(xué)厚度為272nm；

第52層為SiO₂膜層，膜層的光學(xué)厚度為140nm。

2.一種采用權(quán)利要求1所述的膜系鍍制成的樹脂基底窄帶負(fù)濾光片，其特征在于：該濾光片的基底為樹脂基底，其膜系結(jié)構(gòu)為：

??????????????Sub｜(0.35HL)ⁿ1.5H0.75L??

其中，Sub代表樹脂基底，H為M2膜層，L為SiO₂膜層，n為周期數(shù)，取值為25；

與樹脂基底相鄰的膜層為第1層，在第1～50層膜層中，奇數(shù)層均為M2膜層，膜層的光學(xué)厚度均為70nm；偶數(shù)層均為SiO₂膜層，膜層的光學(xué)厚度均為200nm；

第51層為M2膜層，膜層的光學(xué)厚度為272nm；

第52層為SiO₂膜層，膜層的光學(xué)厚度為140nm。

3.一種權(quán)利要求2所述的樹脂基底窄帶負(fù)濾光片的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）清潔被鍍零件：對樹脂基底光學(xué)零件表面進(jìn)行清潔處理；

（2）將被鍍零件放置入真空室內(nèi)，抽真空到真空度高于2×10^-3?Pa，對被鍍零件進(jìn)行離子轟擊，轟擊時間為5～7分鐘；

（3）鍍制第1層膜層，M2膜料由電子束進(jìn)行蒸鍍，蒸鍍時真空度為1×10^-2?Pa～2×10^-2?Pa，蒸發(fā)速率為0.5nm/s～0.6nm/s，膜層的光學(xué)厚度控制為70nm，控制波長550～560nm；

（4）鍍制第2層膜層，SiO₂膜料由電子束進(jìn)行蒸鍍，蒸鍍時真空度為9×10^-3?Pa～2×10^-2?Pa，蒸發(fā)速率為0.8nm/s～1nm/s，膜層的光學(xué)厚度控制為200nm，控制波長550～560nm；?

（5）依次重復(fù)步驟（3）和步驟（4），鍍制第3～50層膜層，鍍制過程中真空室溫度不高于60℃；

（6）?鍍制第51層膜層，M2膜料由電子束進(jìn)行蒸鍍，蒸鍍時真空度為1×10^-2?Pa～2×10^-2?Pa，蒸發(fā)速率為0.5nm/s～0.6nm/s，膜層的光學(xué)厚度控制為272nm，控制波長520～546nm；

（7）鍍制第?52層膜層，SiO₂膜料由電子束進(jìn)行蒸鍍，蒸鍍時真空度為9×10^-3?Pa～2×10^-2?Pa，蒸發(fā)速率為0.8nm/s～1nm/s，膜層的光學(xué)厚度控制為140nm，控制波長520～546nm；

（8）真空室冷卻至40℃以下，取出鍍制好膜系的樹脂基底窄帶負(fù)濾光片。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的樹脂基底窄帶負(fù)濾光片的制備方法，其特征在于：步驟（5）中，在鍍制第3～50層膜層時，所有奇數(shù)層均為M2膜層，膜層的光學(xué)厚度均為70nm；所有偶數(shù)層均為SiO₂膜層，膜層的光學(xué)厚度均為200nm。