[發明專利]一種高抗折、低膨脹的致密鋯英石溢流磚的制備方法

無效

• 申請號: 201010237533.3
• 申請日: 2010-07-27
• 公開（公告）號: CN102229500A
• 公開（公告）日: 2011-11-02
• 發明（設計）人: 劉華利;肖子良;張國高
• 申請（專利權）人: 廣州市石基耐火材料廠
• 主分類號: C04B35/66
• 分類號: C04B35/66;C04B35/48;C04B35/622
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 閔磊

1.一種高抗折、低膨脹的致密鋯英石溢流磚的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)選用ZrSiO₄≥98.5％的鋯英砂為起始原料；

(2)酸洗上述鋯英砂：以鹽酸溶液浸泡，再進行水洗，晾干；

(3)煅燒酸洗后的鋯英砂；

(4)將煅燒合格的鋯英砂按下列重量配方比例在攪拌磨中研磨：

鋯英砂99.0％-99.4％，TiO₂0.4％-0.8％，磷酸0.1％-0.2％；

(5)泥漿烘干，用螺旋烘干機烘干；

(6)粉體粉碎，并過30目振動篩；

(7)等靜壓成型；

(8)燒成；燒成制度為：

升溫過程

室溫→200℃????≤5℃/h

200℃??????????保溫5小時

200→800℃?????≤5℃/h

800℃??????????保溫5小時

800→1585℃????≤5℃/h

1585℃?????????保溫12小時

降溫過程

1585→400℃????≤5℃/h

400℃→常溫????≤3℃/h。

2.根據權利要求1所述的一種高抗折、低膨脹的致密鋯英石溢流磚的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)為在1400℃煅燒。

3.根據權利要求1所述的一種高抗折、低膨脹的致密鋯英石溢流磚的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)研磨的細度要求為0.1～6μm≥95％。

4.根據權利要求1所述的一種高抗折、低膨脹的致密鋯英石溢流磚的制備方法，其特征在于，所述步驟(5)烘干溫度200～250℃，烘干后原料的水分≤0.2％。

5.根據權利要求1所述的一種高抗折、低膨脹的致密鋯英石溢流磚的制備方法，其特征在于，所述步驟(7)等靜壓成型的升壓、卸壓要求為：

升壓：

卸壓：

6.根據權利要求1所述的一種高抗折、低膨脹的致密鋯英石溢流磚的制備方法，其特征在于，所述的大型致密鋯英石溢流磚長度為3150～6000mm、寬度為1020～1600mm、厚度為260～1000mm。

7.根據權利要求6所述的一種高抗折、低膨脹的致密鋯英石溢流磚的制備方法，其特征在于，所述的大型致密鋯英石溢流磚的1200℃高溫抗折強度≥60Mpa，1700℃×24h的重燒體積膨脹率≤10％。