[發明專利]多位元單元非揮發性存儲器的使用新順序的二次寫入方法

有效

• 申請號: 201010236601.4
• 申請日: 2010-07-23
• 公開（公告）號: CN102314947A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 黃漢龍;周銘宏;黃建福;卓世耿
• 申請（專利權）人: 擎泰科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術領域

本發明涉及一種有關非揮發性存儲器，特別是涉及一種使用新順序以二次寫入多位元單元(multi-bit?per?cell)非揮發性存儲器的方法。?

背景技術

快閃存儲器為一種非揮發性存儲器元件，其可以電氣方式進行抹除及寫入。傳統快閃存儲器可于每一記憶單元內儲存單一位元的資訊，因而每一記憶單元具有二種可能狀態。此種傳統快閃存儲器因此稱為單位元單元(single-bit?per?cell)快閃存儲器。現今快閃存儲器可于每一記憶單元內儲存二或多位元的資訊，因而每一記憶單元具有二個以上的可能狀態。此種快閃存儲器因此稱為多位元單元(multi-bit?per?cell)快閃存儲器。?

在多位元單元快閃存儲器中，借由儲存電荷在浮接柵極(floating?gate)中，因而得以寫入不同狀態數據至快閃記體中。由于浮接柵極的電荷即決定相對應的臨界(threshold)電壓，因此數據可根據其相異的臨界電壓而自多位元單元快閃存儲器讀取出來。由于記憶單元間具有工藝、操作或其他方面的差異性，因此每一狀態的臨界電壓并非是固定值，而是由一電壓范圍來定義。?

然而，傳統多位元單元快閃存儲器，特別是三(或更多)位元單元快閃存儲器，極易受到浮接柵極耦合效應及滯留(retention)效應的影響。由于容易因狹窄的讀取邊限(read?margin)而造成讀取錯誤，因此，亟需提出一些新穎的機制，以改善浮接柵極耦合效應及滯留效應。?

由此可見，上述現有的快閃存儲器在方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。因此如何能創設一種新的多位元單元非揮發性存儲器的使用新順序的二次寫入方法，實屬當前重要研發課題之一，亦成為當前業界極需改進的目標。?

發明內容

本發明的目的在于，克服現有的快閃存儲器存在的缺陷，而提供一種新的多位元單元非揮發性存儲器的使用新順序的二次寫入方法，所要解決的技術問題是使其用以改善浮接柵極耦合效應及滯留效應。?

本發明的另一目的在于，提供一種新的多位元單元非揮發性存儲器的使用新順序的二次寫入方法，所要解決的技術問題是使其使用非揮發性存儲器的控制器，對至少一字元線的至少一頁，以寫入數據進行一次寫入。再以控制器對該至少一字元線的至少一頁，以相同寫入數據進行二次寫入。?

本發明的還一目的在于，提供一種新的多位元單元非揮發性存儲器的使用新順序的二次寫入方法，所要解決的技術問題是使其寫入多個較低有效位元頁。再以連續方式，一頁接著一頁地寫入多個連續的最高有效位元頁。?

本發明的再一目的在于，提供一種新的多位元單元非揮發性存儲器的使用新順序的二次寫入方法，所要解決的技術問題是使其使用非揮發性存儲器的控制器，對一特定字元線的至少一頁，以寫入數據進行一次寫入。再以控制器對該特定字元線的前的至少一頁，以相同寫入數據進行二次寫入。?

本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發明提出的一種多位元單元(multi-bit?per?cell)非揮發性存儲器的二次寫入方法，包含：使用該非揮發性存儲器控制器，對至少一字元線的至少一頁，以寫入數據進行一次寫入；及以該控制器對該至少一字元線的至少一頁，以該寫入數據進行二次寫入。?

本發明的目的及解決其技術問題可采用以下技術措施進一步實現。?

前述的多位元單元非揮發性存儲器的二次寫入方法，其中所述的非揮發性存儲器為二位元單元快閃存儲器、三位元單元快閃存儲器、或四位元單元快閃存儲器。?

前述的多位元單元非揮發性存儲器的二次寫入方法，其中所述的至少一頁為一高位元頁。?

前述的多位元單元非揮發性存儲器的二次寫入方法，其中所述的一次寫入步驟包含：一次寫入較低有效(less-significant)位元頁；決定第一最高有效(most-significant)位元預驗證(pre-verify)電壓；及使用該第一最高有效位元預驗證電壓及第一最高有效位元通過驗證(pass-verify)電壓，一次寫入一最高有效位元頁；及上述二次寫入步驟包含：決定第二最高有效位元預驗證電壓；及使用該第二最高有效位元預驗證電壓及第二最高有效位元通過驗證電壓，二次寫入該最高有效位元頁。?

前述的多位元單元非揮發性存儲器的二次寫入方法，其中所述的第二最高有效位元預驗證電壓及該第一最高有效位元預驗證電壓分別具有相同的讀取結果。?

前述的多位元單元非揮發性存儲器的二次寫入方法，其中所述的第二最高有效位元通過驗證電壓大于或等于該第一最高有效位元通過驗證電壓。?