[發(fā)明專利]多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的使用新順序的二次寫入方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010236601.4
• 申請(qǐng)日: 2010-07-23
• 公開（公告）號(hào): CN102314947A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃漢龍;周銘宏;黃建福;卓世耿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 擎泰科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/10
• 分類號(hào): G11C16/10
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的二次寫入方法，其特征在于其包含：

使用該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的控制器，對(duì)至少一字元線的至少一頁，以寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行一次寫入；及

以該控制器對(duì)該至少一字元線的至少一頁，以該寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行二次寫入。

2.如權(quán)利要求1所述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的二次寫入方法，其特征在于其中所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器為二位元單元快閃存儲(chǔ)器、三位元單元快閃存儲(chǔ)器、或四位元單元快閃存儲(chǔ)器。

3.如權(quán)利要求1所述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的二次寫入方法，其特征在于其中所述的至少一頁為一高位元頁。

4.如權(quán)利要求1所述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的二次寫入方法，其特征在于其中所述的一次寫入步驟包含：

一次寫入較低有效位元頁；

決定第一最高有效位元預(yù)驗(yàn)證電壓；及

使用該第一最高有效位元預(yù)驗(yàn)證電壓及第一最高有效位元通過驗(yàn)證電壓，一次寫入一最高有效位元頁；及

上述二次寫入步驟包含：

決定第二最高有效位元預(yù)驗(yàn)證電壓；及

使用該第二最高有效位元預(yù)驗(yàn)證電壓及第二最高有效位元通過驗(yàn)證電壓，二次寫入該最高有效位元頁。

5.如權(quán)利要求4所述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的二次寫入方法，其特征在于其中所述的第二最高有效位元預(yù)驗(yàn)證電壓及該第一最高有效位元預(yù)驗(yàn)證電壓分別具有相同的讀取結(jié)果。

6.如權(quán)利要求4所述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的二次寫入方法，其特征在于其中所述的第二最高有效位元通過驗(yàn)證電壓大于或等于該第一最高有效位元通過驗(yàn)證電壓。

7.一種多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫入方法，其特征在于其包含：

寫入多個(gè)較低有效位元頁；及

以連續(xù)方式，一頁接著一頁地寫入多個(gè)連續(xù)最高有效位元頁。

8.如權(quán)利要求7所述的多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫入方法，其特征在于其中所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器為二位元單元快閃存儲(chǔ)器、三位元單元快閃存儲(chǔ)器、或四位元單元快閃存儲(chǔ)器。

9.如權(quán)利要求7所述的多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫入方法，其特征在于其中所述的寫入該較低有效位元頁的步驟包含：

在該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的至少一存儲(chǔ)器區(qū)塊中，對(duì)于所有字元線進(jìn)行低位元頁的寫入；及

在該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的該存儲(chǔ)器區(qū)塊中，對(duì)于所有字元線進(jìn)行該低位元頁以外的較低有效位元頁的寫入。

10.如權(quán)利要求9所述的多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫入方法，其特征在于其中所述的寫入連續(xù)最高有效位元頁的步驟包含：

在該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的該存儲(chǔ)器區(qū)塊中，對(duì)于所有字元線進(jìn)行高位元頁的寫入。

11.如權(quán)利要求7所述的多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫入方法，其特征在于其中所述的寫入該較低有效位元頁的步驟包含：

在該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的至少一存儲(chǔ)器區(qū)塊中，對(duì)于多個(gè)低位元頁進(jìn)行寫入；及

在該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的該存儲(chǔ)器區(qū)塊中，對(duì)于該低位元頁以外的較低有效位元頁進(jìn)行寫入。

12.如權(quán)利要求11所述的多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫入方法，其特征在于其中所述的寫入連續(xù)最高有效位元頁的步驟包含：

在該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的該存儲(chǔ)器區(qū)塊中，對(duì)多個(gè)高位元頁進(jìn)行寫入。

13.如權(quán)利要求7所述的多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫入方法，其特征在于其中所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的至少一存儲(chǔ)器區(qū)塊中，在寫入所有字元線的較低有效位元頁之后，才對(duì)所有字元線的最高有效位元頁進(jìn)行寫入。

14.一種多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器使用新順序的二次寫入方法，其特征在于其包含：

使用該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的控制器，對(duì)一特定字元線的至少一頁，以寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行一次寫入；及

以該控制器對(duì)該特定字元線之前的至少一頁，以該寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行二次寫入。

15.如權(quán)利要求14所述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器使用新順序的二次寫入方法，其特征在于其中所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器為二位元單元快閃存儲(chǔ)器、三位元單元快閃存儲(chǔ)器、或四位元單元快閃存儲(chǔ)器。