[發明專利]活性負極極片及其制備方法無效
| 申請號： | 201010236401.9 | 申請日： | 2010-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN102054961A | 公開（公告）日： | 2011-05-11 |
| 發明（設計）人： | 陳淵;張睿;秦春梅;劉建紅;王雅和 | 申請（專利權）人： | 中信國安盟固利動力科技有限公司 |
| 主分類號： | H01M4/13 | 分類號： | H01M4/13;H01M4/38;C23C14/34;C23C14/06;C23C14/16 |
| 代理公司： | 北京市京大律師事務所 11321 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 102200 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 活性 負極 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種活性負極極片，其特征在于：在金屬基片上覆蓋一活性材料層后再覆蓋一緩沖層，活性材料層和緩沖層采用磁控濺射技術制備。
2.根據權利要求1所述的活性負極極片，其特征在于：所述活性層為硅和摻雜元素氫、碳、鋁、鎳、鈷、銅之一。
3.根據權利要求2所述的活性負極極片，其特征在于：所述緩沖層材料為碳和鋁、硼、鐵、銅、銀之一。
4.根據權利要求3所述的活性負極極片，其特征在于：所述活性材料層的厚度為1-20μm。
5.一種活性負極極片制備方法，其特征在于：所述方法包括如下步驟：
1)在磁控濺射裝置中安放金屬基片和靶材；
2)濺射功率選擇1000-5000W；
3)保持金屬基片溫度在100-300℃之間；
4)濺射時間3-6.5小時，其中Si靶濺射時間占用80-90％。
6.根據權利要求5所述的活性負極極片制備方法，其特征在于：所述靶材為Si-摻雜元素混合靶和C靶。
7.根據權利要求6所述的活性負極極片制備方法，其特征在于：所述濺射工作氣氛為Ar、H2或C2H2氣體。
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