[發(fā)明專利]加熱裝置、襯底處理裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010236145.3 | 申請日: | 2010-07-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101964303A | 公開(公告)日: | 2011-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 村田等;小杉哲也;杉浦忍;上野正昭 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社日立國際電氣 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 陳偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 加熱 裝置 襯底 處理 以及 半導(dǎo)體 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及加熱裝置、處理襯底的襯底處理裝置、以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)
作為DRAM等的半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個(gè)工序,實(shí)施對(duì)硅晶片等襯底進(jìn)行加熱并處理的襯底處理工序。這一工序通過襯底處理裝置實(shí)施,該襯底處理裝置具有收容襯底并對(duì)其進(jìn)行處理的處理室和對(duì)該處理室內(nèi)進(jìn)行加熱的加熱裝置。加熱裝置具有圍繞處理室的外周的環(huán)狀的發(fā)熱體和設(shè)在發(fā)熱體外周上的環(huán)狀的隔熱體。在發(fā)熱體的上下端上,峰部和谷部(切缺部)分別交替地相連有多個(gè),由此,該發(fā)熱體形成為蛇行狀(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
另外,加熱裝置具有:圍繞處理室的外周的環(huán)狀的發(fā)熱體;以圍繞發(fā)熱體的外周的方式設(shè)置的隔熱體;將發(fā)熱體固定在隔熱體的內(nèi)壁上的保持部件(例如參照專利文獻(xiàn)2)。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2007-88325號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開平4-318923號(hào)公報(bào)
上述發(fā)熱體,環(huán)狀的發(fā)熱體的兩端貫通隔熱體的側(cè)壁而固定,并且,發(fā)熱體的各谷部分別固定在隔熱體的內(nèi)周側(cè)壁上,由此,該發(fā)熱體被保持在隔熱體的內(nèi)周側(cè)。為了將發(fā)熱體的各谷部固定在隔熱體的內(nèi)周側(cè)壁上,一直以來使用例如作為橋型的銷而構(gòu)成的保持體。即,將保持體的兩端分別插入各谷部的末端部(谷底部)并固定在隔熱體的內(nèi)周側(cè)壁上,由此抑制發(fā)熱體的偏移。
另外,在上述加熱裝置中,若發(fā)熱體伴隨升溫而發(fā)生熱膨脹,則發(fā)熱體會(huì)與隔熱體接觸,存在著這些部件受到損傷的情況。尤其是,由于發(fā)熱體的變位量隨著從保持部件遠(yuǎn)離而累積地變大,因此在從保持部件遠(yuǎn)離的部位容易發(fā)生發(fā)熱體與隔熱體的接觸。
但是,在上述結(jié)構(gòu)中,存在以下情況:當(dāng)隨著升溫,發(fā)熱體產(chǎn)生熱變形,則谷部的間隙變得狹窄,保持件被剪切。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明的目的在于提供一種加熱裝置、襯底處理裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法,能夠抑制發(fā)熱體的偏移,并且,能夠抑制因發(fā)熱體的熱變形而導(dǎo)致的保持件的剪切,能夠抑制在發(fā)熱體發(fā)生了熱膨脹時(shí)發(fā)熱體與隔熱體的接觸或發(fā)熱體與銷部件的干涉,降低加熱裝置的構(gòu)成部件的損傷。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式,提供一種加熱裝置,具有:
發(fā)熱體,該發(fā)熱體的兩端固定,通過峰部和谷部交替地多個(gè)相連而形成為蛇行狀;
保持體承受部,該保持體承受部分別設(shè)在所述谷部的末端,作為具有比所述谷部的寬度大的寬度的切缺部而形成;
隔熱體,該隔熱體設(shè)置在所述發(fā)熱體的外周;
保持體,該保持體配置在所述保持體承受部內(nèi)并固定在所述隔熱體上。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式,提供一種襯底處理裝置,具有加熱裝置和處理室,該處理室設(shè)在該加熱裝置的內(nèi)部,對(duì)襯底進(jìn)行處理,其中,
所述加熱裝置具有:發(fā)熱體,該發(fā)熱體的兩端固定,通過峰部和谷部交替地多個(gè)相連而形成為蛇行狀;保持體承受部,該保持體承受部分別設(shè)在所述谷部的末端,作為具有比所述谷部的寬度大的寬度的切缺部而形成;隔熱體,該隔熱體設(shè)置在所述發(fā)熱體的外周;保持體,該保持體配置在所述保持體承受部內(nèi)并固定在所述隔熱體上。
根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式,提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,具有以下工序:
將襯底搬入設(shè)在加熱裝置的內(nèi)部的處理室內(nèi)的工序;
將所述加熱裝置所具有的通過峰部和谷部交替地多個(gè)相連而形成為蛇行狀的發(fā)熱體的兩端固定在設(shè)于所述發(fā)熱體的外周的隔熱體上,并且,在分別設(shè)置在所述各部的末端、作為具有比所述谷部的寬度大的寬度的切缺部而形成的保持體承受部內(nèi)配置保持體并將其固定在所述隔熱體上,由此,保持所述發(fā)熱體的位置,并使所述發(fā)熱體升溫,對(duì)所述處理室內(nèi)的襯底進(jìn)行加熱處理。
另外,根據(jù)本發(fā)明的其他方式,提供一種加熱裝置,具有:形成為環(huán)狀的發(fā)熱體;以圍繞所述發(fā)熱體的外周的方式設(shè)置的隔熱體;將所述發(fā)熱體固定在所述隔熱體的內(nèi)壁上的固定部,設(shè)定為:至少在所述發(fā)熱體為室溫狀態(tài)時(shí),所述發(fā)熱體與所述隔熱體的內(nèi)壁之間的距離隨著從所述固定部遠(yuǎn)離而變大。
根據(jù)本發(fā)明的其他方式,提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,具有以下工序:將襯底搬入設(shè)在加熱裝置的發(fā)熱體的內(nèi)側(cè)的處理室內(nèi)的工序,其中,所述加熱裝置具有形成為環(huán)狀的所述發(fā)熱體、以圍繞所述發(fā)熱體的外周的方式設(shè)置的隔熱體、將所述發(fā)熱體固定在所述隔熱體的內(nèi)壁上的固定部;使所述發(fā)熱體升溫,對(duì)所述處理室內(nèi)的襯底進(jìn)行加熱處理的工序,設(shè)定為:至少在所述發(fā)熱體為室溫狀態(tài)時(shí),所述發(fā)熱體與所述隔熱體的內(nèi)壁之間的距離隨著從所述固定部遠(yuǎn)離而變大。
發(fā)明的效果
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





