[發明專利]加熱裝置、襯底處理裝置以及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201010236145.3
• 申請日: 2010-07-21
• 公開（公告）號: CN101964303A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發明（設計）人: 村田等;小杉哲也;杉浦忍;上野正昭
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉

1.一種加熱裝置，具有：

發熱體，該發熱體的兩端固定，通過峰部和谷部交替地多個相連而形成為蛇行狀；

保持體承受部，該保持體承受部分別設在所述谷部的末端，作為具有比所述谷部的寬度大的寬度的切缺部而形成；

隔熱體，該隔熱體設置在所述發熱體的外周；

保持體，該保持體配置在所述保持體承受部內并固定在所述隔熱體上。

2.如權利要求1所述的加熱裝置，

所述發熱體具有：環狀部，該環狀部由所述峰部和所述谷部交替地多個相連的部位形成；一對供電部，該一對供電部貫通所述隔熱體并固定在該隔熱體上，分別連接在所述環狀部的兩端，

所述隔熱體以圍繞所述環狀部的外周面的方式形成為環狀，在所述隔熱體的內周面上具有收容所述環狀部的槽狀的收納部，

所述環狀部中的所述峰部的頂端，以朝向所述環狀部的中心的方式，相對于除所述環狀部中的所述峰部頂端外的中央部分別以鈍角傾斜，

所述收納部的兩側壁相對于所述收納部的底面分別以鈍角傾斜，

所述峰部頂端的傾斜角度和所述收納部的兩側壁的傾斜角度被設定為相等的角度。

3.如權利要求1所述的加熱裝置，

所述發熱體具有：環狀部，該環狀部由所述峰部和所述谷部交替地多個相連的部位形成；一對供電部，該一對供電部貫通所述隔熱體并固定在該隔熱體上，分別連接在所述環狀部的兩端，

所述隔熱體以圍繞所述環狀部的外周面的方式形成為環狀，在所述隔熱體的內周面上具有收容所述環狀部的槽狀的收納部，

所述收納部的底面與鄰接該底面的所述環狀部之間的距離被設定為，在所述收納部以及所述環狀部的全周各部中的至少一部分不同。

4.一種襯底處理裝置，具有加熱裝置和處理室，該處理室設在該加熱裝置的內部，對襯底進行處理，其中，

所述加熱裝置具有：發熱體，該發熱體的兩端固定，通過峰部和谷部交替地多個相連而形成為蛇行狀；保持體承受部，該保持體承受部分別設在所述谷部的末端，作為具有比所述谷部的寬度大的寬度的切缺部而形成；隔熱體，該隔熱體設置在所述發熱體的外周；保持體，該保持體配置在所述保持體承受部內并固定在所述隔熱體上。

5.一種半導體裝置的制造方法，具有以下工序：

將襯底搬入設在加熱裝置的內部的處理室內的工序；

將所述加熱裝置所具有的通過峰部和谷部交替地多個相連而形成為蛇行狀的發熱體的兩端固定在設于所述發熱體的外周的隔熱體上，并且，在分別設置在所述各部的末端、作為具有比所述谷部的寬度大的寬度的切缺部而形成的保持體承受部內配置保持體并將其固定在所述隔熱體上，由此，保持所述發熱體的位置，并使所述發熱體升溫，對所述處理室內的襯底進行加熱處理。

6.一種加熱裝置，

具有：

形成為環狀的發熱體；

以圍繞所述發熱體的外周的方式設置的隔熱體；

將所述發熱體固定在所述隔熱體的內壁上的固定部，

其特征在于，

設定為：至少在所述發熱體為室溫狀態時，所述發熱體與所述隔熱體的內壁之間的距離隨著從所述固定部遠離而變大。

7.如權利要求6所述的加熱裝置，其特征在于，

所述固定部沿所述發熱體的周向設有多個，

設定為：至少在所述發熱體為室溫狀態時，所述發熱體與所述隔熱體的內壁之間的距離隨著從鄰接的所述固定部間的中央位置接近所述固定部而變小。

8.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，

具有以下工序：

將襯底搬入設在加熱裝置的發熱體的內側的處理室內的工序，其中，所述加熱裝置具有形成為環狀的所述發熱體、以圍繞所述發熱體的外周的方式設置的隔熱體、將所述發熱體固定在所述隔熱體的內壁上的固定部；

使所述發熱體升溫，對所述處理室內的襯底進行加熱處理的工序，

設定為：至少在所述發熱體為室溫狀態時，所述發熱體與所述隔熱體的內壁之間的距離隨著從所述固定部遠離而變大。