[發明專利]真空蒸鍍方法及其裝置

無效

• 申請號: 201010235894.4
• 申請日: 2010-07-22
• 公開（公告）號: CN101962750A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發明（設計）人: 松浦宏育;土井秀明;加藤升;韭澤信廣
• 申請（專利權）人: 株式會社日立高新技術
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶

1.一種真空蒸鍍裝置，其為，在被排氣為真空的腔室內，將通過加熱而被氣化的蒸鍍材料蒸鍍到基板上的蒸鍍裝置，其特征為包括：

保持基板的基板保持設備、

使蒸鍍材料氣化而從噴嘴排放的具有在一個方向上較長形狀的蒸發源、

使所述蒸發源或者所述保持基板的基板保持設備的至少一者在與所述蒸發源的較長的一個方向垂直的方向上移動的第一移動設備、

檢測從所述蒸發源排放所述蒸鍍材料的排放速度的檢測設備、

使所述蒸發源或者所述檢測設備的至少一者在與所述蒸發源的較長的一個方向即長度方向平行的方向上移動的第二移動設備、

控制所述基板保持設備、所述蒸發源、所述第一移動設備、所述檢測設備和所述第二移動設備的控制設備，

通過該控制設備控制所述第二移動設備，從而移動所述檢測設備或所述蒸發源的至少一者，由此測量所述蒸發源的排放速度在所述長度方向上的分布。

2.根據權利要求1所述的真空蒸鍍裝置，其特征為，所述蒸發源具有在一個方向上較長的形狀，并具有多個加熱設備。

3.根據權利要求1或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征為，所述控制設備控制所述基板保持設備或者所述蒸發源的至少任意一者，在通過所述檢測設備測量所述蒸發源的排放速度在所述較長的一個方向上的分布時，使所述基板保持設備與所述蒸發源相對移動到從所述蒸發源的噴嘴排放的蒸鍍材料未到達被所述基板保持設備保持的基板的位置上。

4.根據權利要求1或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征為，在所述基板保持設備與所述蒸發源之間進一步具有以能與所述蒸發源相對移動的方式設置的開閉器或者遮蔽板設備，該開閉器或者遮蔽板設備設置為至少在所述檢測設備測量所述蒸發源的排放速度在長度方向上的分布時，覆蓋所述蒸發源的噴嘴的前面或者側面。

5.根據權利要求1或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征為，所述檢測設備的檢測部為水晶振子，在該檢測部的周邊設置有筒狀或者板狀的遮蔽板。

6.根據權利要求1或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征為，所述基板保持設備將所述被處理基板垂直豎立并保持，所述基板保持設備或者所述蒸發源的至少任意一者在鉛直方向或者相對于鉛直方向垂直的方向上掃描，從而在基板上實施成膜。

7.一種真空蒸鍍裝置，其特征為，該真空蒸鍍裝置具有真空蒸鍍部，所述真空蒸鍍部為，在將內部排氣并維持真空狀態的真空槽內在被處理基板的表面上通過蒸鍍形成薄膜，該真空蒸鍍裝置包括：

通過線上配置的多個噴嘴，將通過加熱而被氣化的蒸鍍材料向所述真空槽內排放的蒸發源、

保持所述處理基板的基板保持設備、

沿著被所述基板保持設備保持的被處理基板，使所述蒸發源在與所述線上配置的多個噴嘴的排列方向成直角的方向上相對掃描的驅動設備、

對于所述蒸發源具有的所述噴嘴，一個或者相鄰的多個噴嘴作為一組，檢測從每組所述噴嘴排放的所述蒸鍍材料的分別的排放速度的檢測設備。

8.根據權利要求7所述的真空蒸鍍裝置，其特征為，所述真空蒸鍍部在其內部具有二組所述基板保持設備與所述驅動設備，還具有將所述蒸發源在所述二組驅動設備之間移送的蒸發源移送設備，將所述檢測設備設置在由所述蒸發源移送設備將所述蒸發源在所述二組驅動設備之間移送的移送路徑上。

9.根據權利要求7或8所述的真空蒸鍍裝置，其特征為，至少在通過蒸鍍形成薄膜時，所述處理基板以表面被影孔板覆蓋的狀態被保持在所述基板保持設備上。

10.根據權利要求7或8所述的真空蒸鍍裝置，其特征為，具備多個所述真空蒸鍍部，具有在真空氣氛中將所述被處理基板在所述多個所述真空蒸鍍部間搬運的設備。

11.根據權利要求7或8所述的真空蒸鍍裝置，其特征為，還具備異常信息輸出設備，所述異常信息輸出設備在通過檢測已氣化的所述蒸鍍材料的排放速度的所述檢測設備檢測到從所述噴嘴的組中任意一組排放所述蒸鍍材料的排放狀態為異常時，輸出與異常相關的信息。

12.根據權利要求7或8所述的真空蒸鍍裝置，其特征為，具備控制設備，所述控制設備利用所述檢測設備監測到的每個所述噴嘴組的所述蒸鍍材料的排放速度的信息來控制所述蒸發源。