[發(fā)明專利]制作工藝反應(yīng)系統(tǒng)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010235650.6
• 申請日: 2010-07-22
• 公開（公告）號: CN101907832A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐啟源;鄭鴻毅;蕭鴻裕
• 申請（專利權(quán)）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;B08B5/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種制作工藝反應(yīng)系統(tǒng)，其用來在一基板上進行一反應(yīng)制作工藝，該制作工藝反應(yīng)系統(tǒng)包含有：

制作工藝反應(yīng)室，其具有閘口；以及

噴氣裝置，其設(shè)置于對應(yīng)該閘口的位置上且位于該基板的上方，該噴氣裝置用于產(chǎn)生一清潔氣流，該清潔氣流具有一流動路徑，且該流動路徑與該基板間具有一夾角，該夾角實質(zhì)上介于15度至25度。

2.如權(quán)利要求1所述的制作工藝反應(yīng)系統(tǒng)，其中該夾角約為20度。

3.如權(quán)利要求1所述的制作工藝反應(yīng)系統(tǒng)，其中該噴氣裝置與該基板相距一特定高度。

4.如權(quán)利要求3所述的制作工藝反應(yīng)系統(tǒng)，其中該特定高度實質(zhì)上等于100mm。

5.如權(quán)利要求1所述的制作工藝反應(yīng)系統(tǒng)另包含有：

離子產(chǎn)生裝置，其設(shè)置于該清潔氣流的該流動路徑的范圍內(nèi)，該離子產(chǎn)生裝置用來產(chǎn)生離子以進入該清潔氣流內(nèi)，用于離子化該清潔氣流。

6.如權(quán)利要求5所述的制作工藝反應(yīng)系統(tǒng)，其中該離子產(chǎn)生裝置與該噴氣裝置實質(zhì)上位于同一垂直面上。

7.如權(quán)利要求6所述的制作工藝反應(yīng)系統(tǒng)，其中該離子產(chǎn)生裝置設(shè)置于該噴氣裝置的下方。

8.如權(quán)利要求1所述的制作工藝反應(yīng)系統(tǒng)另包含有：

微粒清潔設(shè)備，其設(shè)置于對應(yīng)該基板的位置上，該微粒清潔設(shè)備用來帶離被該清潔氣流從該基板上所吹起的微粒。

9.如權(quán)利要求8所述的制作工藝反應(yīng)系統(tǒng)，其中該微粒清潔設(shè)備為一垂直層流式(Down?flow)清潔設(shè)備。

10.如權(quán)利要求1所述的制作工藝反應(yīng)系統(tǒng)，其中該制作工藝反應(yīng)室為一曝光機。