[發明專利]連續真空鍍膜方法

無效

• 申請號: 201010234736.7
• 申請日: 2010-07-23
• 公開（公告）號: CN102337510A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;戴龍文;陳正士
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種真空鍍膜方法，尤其涉及一種連續真空鍍膜方法。

背景技術

PVD鍍膜由于其環保性及其所鍍膜層極佳的耐磨性和化學穩定性以及具金屬光澤的外觀性，近年來得到了更廣泛的應用與推廣。目前PVD鍍膜常用的方法有蒸鍍、濺鍍及陰極電弧鍍，其中陰極電弧鍍的沉積速率較快，形成的膜層的附著力較佳。

為了形成多層或復合的PVD膜層，有時需要更換靶材或鍍膜方式，因而需要對不同的鍍膜設備多次抽真空及破真空(通常一次抽真空與一次破真空需耗時約2小時)，如此一來一方面加長了工藝流程，降低了加工效率，另一方面在更換靶材或變換鍍膜設備時，鍍膜中間產品頻繁暴露于大氣環境中，破壞了中間膜層的質量。

為此，連續鍍膜設備應運而生，以在不需要多次抽真空及破真空的狀況下，實現多層膜或復合膜的制備。然而目前的連續鍍膜方法中采用的鍍膜方式為蒸鍍或濺鍍，存在鍍膜的速率較慢、所鍍膜層的附著力不高的問題。

發明內容

鑒于此，有必要提供一種鍍膜速率快，膜層的附著力高的連續真空鍍膜方法。

一種連續真空鍍膜方法，其包括如下步驟：

提供一基體；

將該基體裝載于一連續真空鍍膜機中，該連續真空鍍膜機的鍍膜室設有陰極電弧發射源；

以陰極電弧鍍的方式在該基體的表面沉積一鍍膜層。

相較于現有技術，所述的連續真空鍍膜方法以陰極電弧鍍的方式對基體進行連續鍍膜，其一方面可避免多次抽真空及破真空，縮短了工藝流程，提高了加工效率，保證了膜層質量，另一方面利用了陰極電弧鍍的沉積速率快的優點，可進一步提高鍍膜的效率，同時以陰極電弧鍍的方法形成的鍍膜層于基體表面的附著力高，提高了鍍膜質量。

附圖說明

圖1是本發明一較佳實施方式的連續真空鍍膜機的簡單示意圖。

主要元件符號說明

連續真空鍍膜機????????10

裝載室????????????????1

第一預抽室????????????2

第一緩沖室????????????3

鍍膜室????????????????4

真空腔????????????????4a

真空腔????????????????4b

真空腔????????????????4c

第二緩沖室????????????5

第二預抽室????????????6

卸載室????????????????7

具體實施方式

本發明一較佳實施方式的連續真空鍍膜方法包括如下步驟：

提供一基體。該基體的材質可為金屬、陶瓷或玻璃。

將該基體裝載于一連續真空鍍膜機10中，以陰極電弧鍍的方式在該基體的表面沉積一鍍膜層。

請參閱圖1，所述連續真空鍍膜機10包括依次連接的一裝載室1，一第一預抽室2，一第一緩沖室3，鍍膜室4，一第二緩沖室5，一第二預抽室6，及一卸載室7。所述鍍膜室4可為單一的真空腔結構或為若干個真空腔的串聯結構。本發明較佳實施方式的鍍膜室4包括三個相互串聯的真空腔4a，4b，及4c。該真空腔4a，4b，及4c中分別設置有陰極電弧發射源。

沉積所述鍍膜層可包括如下步驟：

打開裝載室1，將基體送入該裝載室1中進行裝載，然后關閉裝載室1。

打開第一預抽室2，將基體送入該第一預抽室2中，然后關閉第一預抽室2，進行空氣預抽達到要求的真空度。

打開第一緩沖室3，將基體送入該第一緩沖室3中。該第一緩沖室3與第一預抽室2實現了氣體隔離，消除了基體送入對鍍膜室4的影響。

基體依次進入真空腔4a，4b，及4c，進行鍍膜層的沉積。該鍍膜層可包括依次形成于基體表面的結合層、保護層及顏色層。所述結合層可為一Zr層，其于真空腔4a中鍍成。所述保護層可為一Zr-C-O層，其于真空腔4b中鍍成。所述顏色層可為一Ti-N-C層，其于真空腔4c中鍍成。

鍍制所述結合層的工藝參數可為：以鋯(Zr)為靶材，接入靶材的電流為100-500A，通入惰性氣體氬氣(Ar)的流量為450-550sccm(標準狀態毫升/分鐘)，真空腔4a的溫度為130-170℃，沉積時間約1-2分鐘。