[發明專利]發光元件

有效

• 申請號: 201010234560.5
• 申請日: 2010-07-20
• 公開（公告）號: CN102339920A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 張利銘;沈建賦;柯淙凱
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種發光元件，包括：

基板；

第一半導體層，形成于該基板上；

發光層，形成于該第一半導體層上；

第二半導體層，形成于該發光層上，該第二半導體層表面形成一凹部；以及

金屬電極，形成于該第二半導體層上，包括一主電極及延伸于該主電極的至少一第一延伸電極；

其中該第一延伸電極順應該凹部的表面形成。

2.如權利要求1所述的發光元件，其中該凹部包括形成于該第二半導體層上的溝槽及/或凹洞。

3.如權利要求2所述的發光元件，其中該凹部為該溝槽時，具有呈長條狀的底側及兩相對側壁；該凹部為該凹洞時，具有底側及環繞的側壁。

4.如權利要求3所述的發光元件，其中該第一延伸電極還包含第二延伸電極形成于該兩相對側壁至少其中之一的表面上。

5.如權利要求2或3所述的發光元件，其中該溝槽的兩側壁垂直于該底側，及/或該凹洞的該側壁垂直于該底側。

6.如權利要求1所述的發光元件，包括透明導電層，形成于該第二半導體層與該金屬電極間。

7.如權利要求6所述的發光元件，該透明導電層形成于除凹部以外的第二半導體層上，而該第一延伸電極直接與凹部的底側及側壁接觸。

8.如權利要求6所述的發光元件，其中該透明導電層包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋅鋁(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)或氧化鋅(ZnO)的金屬氧化物，或砷鎵化鋁(AlGaAs)或磷化鎵(GaP)的半導體化合物。

9.如權利要求1所述的發光元件，該主電極也形成于該凹部上，而令該凹部被該主電極的材料所填充。

10.如權利要求1所述的發光元件，其中該第一半導體層、第二半導體、及發光層所構成的發光疊層的半導體化合物包含至少一種元素選自于由鋁(A1)、鎵(Ga)、銦(In)、氮(N)、磷(P)及砷(As)所構成的群組。

11.如權利要求1所述的發光元件，其中該凹部包括多條平行并列的溝槽及/或多個間隔形成的凹洞。

12.如權利要求1或11所述的發光元件，其中該延伸電極與該凹部垂直相交。