[發明專利]半導體裝置

無效

• 申請號: 201010234111.0
• 申請日: 2010-07-20
• 公開（公告）號: CN101964362A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發明（設計）人: 中野佑紀;中村亮太;長尾勝久
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/49;H01L29/04
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張遠

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

由添加了導電型雜質的材料構成的半導體區域；

在所述半導體區域的表面上形成的絕緣膜；和

在所述絕緣膜上形成、至少與所述絕緣膜相接的部分由具有比Si的費米能級更接近所述半導體區域的費米能級的費米能級的材料構成、且具有導電性的柵電極。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體區域具有比Si的能帶隙更寬的能帶隙。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述柵電極具有比Si的能帶隙更寬的能帶隙。

4.根據權利要求1～3中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述柵電極具備：第1層，其與所述絕緣膜相接，由具有比Si的費米能級更接近所述半導體區域的費米能級的費米能級的材料構成，具有導電性；和第2層，其層疊在所述第1層上，由與所述第1層的材料不同的材料構成，具有導電性。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1層是P型Poly-SiC，所述第2層是P型Poly-Si。

6.根據權利要求1～3中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體區域的材料與所述柵電極的材料相同。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體區域的材料是P型SiC，

所述柵電極是P型Poly-SiC。

8.根據權利要求5或7所述的半導體裝置，其特征在于，

P型雜質是B。

9.根據權利要求1～7中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體區域在距離所述絕緣膜的深度為以下的部分，具有1×10¹⁸cm^-3以下的雜質濃度。

10.根據權利要求1～9中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體區域形成在半導體基板上，

所述半導體基板的偏移角超過0°小于4°。

11.一種半導體裝置，其特征在于，

包括：SiC基板、在所述SiC基板的一個面側形成的外延層、和從所述外延層的主面向下挖而形成的柵極溝槽，

所述SiC基板的偏移角超過0°小于4°。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，

所述SiC基板的一個面是C面。

13.根據權利要求11或12所述的半導體裝置，其特征在于，

所述柵極溝槽的底面是相對于正(000-1)面向[11-20]軸方向傾斜了所述偏移角的面。

14.根據權利要求11～13中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述SiC基板的偏移角為0.3°以上小于4°。

15.根據權利要求11～14中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述SiC基板的偏移角為1°。

16.根據權利要求11～15中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

還包括在所述柵極溝槽的底面及側面形成的柵極絕緣膜，

所述柵極絕緣膜中的所述底面上的部分的厚度，比所述柵極絕緣膜中的所述側面上的部分的厚度大。

17.根據權利要求11～16中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述柵極溝槽形成為錐狀。

18.根據權利要求11～17中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述外延層包含在所述柵極溝槽的側方形成的主體區域，

所述柵極溝槽中形成有隔著在其側面上形成的柵極絕緣膜與所述主體區域對置的柵電極，

所述柵電極采用與所述主體區域相同的材料形成。

19.根據權利要求18所述的半導體裝置，其特征在于，

所述主體區域的材料是P型SiC，

所述柵電極的材料是P型Poly-SiC。