[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010234111.0
• 申請日: 2010-07-20
• 公開（公告）號: CN101964362A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 中野佑紀(jì);中村亮太;長尾勝久
• 申請（專利權(quán)）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/49;H01L29/04
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 張遠

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

由添加了導(dǎo)電型雜質(zhì)的材料構(gòu)成的半導(dǎo)體區(qū)域；

在所述半導(dǎo)體區(qū)域的表面上形成的絕緣膜；和

在所述絕緣膜上形成、至少與所述絕緣膜相接的部分由具有比Si的費米能級更接近所述半導(dǎo)體區(qū)域的費米能級的費米能級的材料構(gòu)成、且具有導(dǎo)電性的柵電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體區(qū)域具有比Si的能帶隙更寬的能帶隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述柵電極具有比Si的能帶隙更寬的能帶隙。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述柵電極具備：第1層，其與所述絕緣膜相接，由具有比Si的費米能級更接近所述半導(dǎo)體區(qū)域的費米能級的費米能級的材料構(gòu)成，具有導(dǎo)電性；和第2層，其層疊在所述第1層上，由與所述第1層的材料不同的材料構(gòu)成，具有導(dǎo)電性。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第1層是P型Poly-SiC，所述第2層是P型Poly-Si。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體區(qū)域的材料與所述柵電極的材料相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體區(qū)域的材料是P型SiC，

所述柵電極是P型Poly-SiC。

8.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

P型雜質(zhì)是B。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體區(qū)域在距離所述絕緣膜的深度為以下的部分，具有1×10¹⁸cm^-3以下的雜質(zhì)濃度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體區(qū)域形成在半導(dǎo)體基板上，

所述半導(dǎo)體基板的偏移角超過0°小于4°。

11.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

包括：SiC基板、在所述SiC基板的一個面?zhèn)刃纬傻耐庋訉印⒑蛷乃鐾庋訉拥闹髅嫦蛳峦诙纬傻臇艠O溝槽，

所述SiC基板的偏移角超過0°小于4°。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述SiC基板的一個面是C面。

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述柵極溝槽的底面是相對于正(000-1)面向[11-20]軸方向傾斜了所述偏移角的面。

14.根據(jù)權(quán)利要求11～13中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述SiC基板的偏移角為0.3°以上小于4°。

15.根據(jù)權(quán)利要求11～14中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述SiC基板的偏移角為1°。

16.根據(jù)權(quán)利要求11～15中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

還包括在所述柵極溝槽的底面及側(cè)面形成的柵極絕緣膜，

所述柵極絕緣膜中的所述底面上的部分的厚度，比所述柵極絕緣膜中的所述側(cè)面上的部分的厚度大。

17.根據(jù)權(quán)利要求11～16中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述柵極溝槽形成為錐狀。

18.根據(jù)權(quán)利要求11～17中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述外延層包含在所述柵極溝槽的側(cè)方形成的主體區(qū)域，

所述柵極溝槽中形成有隔著在其側(cè)面上形成的柵極絕緣膜與所述主體區(qū)域?qū)χ玫臇烹姌O，

所述柵電極采用與所述主體區(qū)域相同的材料形成。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述主體區(qū)域的材料是P型SiC，

所述柵電極的材料是P型Poly-SiC。