[發明專利]積累型CMOS器件的制造方法及其結構

有效

• 申請號: 201010232797.X
• 申請日: 2010-07-15
• 公開（公告）號: CN102339796A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 梁擎擎;鐘匯才
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/762;H01L21/20;H01L27/092
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 馬佑平

1.一種積累型CMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

A.形成第一襯底，所述第一襯底包括半導體基板和其上的第一摻雜類型的硅層；

B.實施光刻(Mask?1)以在所述第一襯底上形成至少一個凸平臺區和至少一個凹平臺區，所述凸平臺區包含所述第一摻雜類型的硅層，所述凹平臺區不包含所述第一摻雜類型的硅層；

C.在所述凸平臺區和凹平臺區的交界面上形成第一側墻，作為第一淺槽隔離；

D.在所述凹平臺區的襯底上形成第二摻雜類型的硅層；

E.覆蓋所述第一襯底形成第二襯底，翻轉所述器件，使所述第二襯底位于底部；

F.去除位于頂部的所述第一襯底的半導體基板，以暴露所述第一摻雜類型的硅層和第二摻雜類型的硅層；

G.在所述第二襯底上形成柵極材料層，并實施光刻(Mask?3)以形成至少一個柵極線，所述柵極線橫跨所述第一側墻并貫穿所述第一摻雜類型的硅層和第二摻雜類型的硅層；

H.在所述柵極線以及第一側墻的側壁分別形成第二側墻和第三側墻；

I.在所述柵極線兩側形成源/漏區金屬材料層并實施光刻(Mask?4)，部分刻蝕所述源/漏區金屬材料層以形成源/漏區和提升的源/漏區接觸；

J.實施光刻(Mask?5)，部分刻蝕所述柵極線以形成提升的柵極接觸。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟A中形成第一襯底還包括：在形成所述硅層之前形成外延層。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟A中形成第一摻雜類型的硅層以及步驟D中形成第二摻雜類型的硅層包括：外延生長原位摻雜的硅。

4.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，步驟B形成凹平臺區包括：完全刻蝕第一摻雜類型的硅層以及部分刻蝕所述外延層。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一摻雜類型和所述第二摻雜類型為相反類型的摻雜。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟D中形成的第二摻雜類型的硅層和步驟A中形成的第一摻雜類型的硅層高度基本相平。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟D之后還包括：實施光刻(Mask?2)以形成第二淺槽隔離，用于隔離相鄰器件。

8.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，步驟F中去除所述第一襯底的半導體基板之后，還包括去除所述外延層，以使所述第一側墻突出于所述第二襯底表面。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟G還包括在所述柵極線上形成氧化物帽層。

10.如權利要求1或9所述的方法，其特征在于，步驟H中形成的第二側墻與所述柵極線上的氧化物帽層高度基本相平，所述第二側墻高于所述第一側墻，所述第三側墻與所述第一側墻高度基本相平。

11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟I中形成的源/漏區金屬材料層高于所述第一側墻低于所述第二側墻。

12.如權利要求1或9所述的方法，其特征在于，在步驟I之后還包括：去除所述氧化物帽層。

13.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟J中提升的柵極接觸形成在所述柵極線與第一側墻的交匯處。

14.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟I中所述形成的源/漏區和步驟J中所述部分刻蝕后的柵極線高度基本相平。

15.一種根據權利要求1的方法制造的積累型CMOS器件，其特征在于，包括：

襯底；

形成在所述襯底上的至少一個nMOS區和一個pMOS區，以及形成在所述nMOS區和pMOS區之間的作為第一淺槽隔離的第一側墻，其中，所述nMOS區和pMOS區分別包括：形成在所述襯底上的至少一個柵極線，所述柵極線上形成有提升的柵極接觸；形成在所述柵極線兩側的第二側墻，以及形成在所述第一側墻兩側的第三側墻；形成在所述襯底上及所述柵極線兩側的源/漏區，所述源/漏區上形成有提升的源/漏區接觸。

16.如權利要求15所述的積累型CMOS器件，其特征在于，所述襯底包括n型和p型原位摻雜的硅層，所述nMOS區和pMOS區分別位于所述n型和p型原位摻雜的硅層上。