[發明專利]一種富集痕量速滅威的分子印跡聚合物的制備方法無效
| 申請號: | 201010232482.5 | 申請日: | 2010-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN102336868A | 公開(公告)日: | 2012-02-01 |
| 發明(設計)人: | 王碩;方國臻;錢坤;王俊平 | 申請(專利權)人: | 天津科技大學 |
| 主分類號: | C08F222/14 | 分類號: | C08F222/14;C08F220/06;C08J9/26;B01J20/26;B01J20/30;B01D15/08 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 300000 天津市天津經濟技術開發*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 富集 痕量 速滅威 分子 印跡 聚合物 制備 方法 | ||
1.一種富集痕量速滅威的分子印跡聚合物的制備方法,其特征在于:
1)在四氫呋喃和甲苯混合溶劑中,加入速滅威模板充分攪拌使其完全溶解,然后加入甲基丙烯酸,充分攪拌4h;加入交聯劑乙二醇二甲基丙烯酸酯反應1h;加入偶氮二異丁腈,超聲10min,通氮氣10min,然后55℃水浴熱聚合20h;
2)將上述聚合物粉碎,放入帶塞圓底燒瓶中,加入甲醇和1mol?L-1鹽酸,磁力攪拌4h,過濾,用甲醇、水洗滌,再用0.1mol?L-1氫氧化鈉、水洗滌,在60℃下真空干燥10h;
3)將聚合物置于索氏萃取器中,加入270mL甲醇和30mL冰乙酸作萃取溶劑,連續萃取48h,至萃取液中無速滅威檢測出來為止。60℃真空干燥10h,得速滅威分子印跡聚合物。
2.根據權利要求1所述的一種富集痕量速滅威的分子印跡聚合物的制備方法,其特征在于:所述速滅威、甲基丙烯酸、乙二醇二甲基丙烯酸酯的摩爾比例為1∶4∶10。
3.根據權利要求1所述的一種富集痕量速滅威的分子印跡聚合物的制備方法,其特征在于:所述的四氫呋喃與甲苯的體積比為1∶1。
4.根據權利要求1所述的一種富集痕量速滅威的分子印跡聚合物的制備方法,其特征在于:所述的甲醇與冰乙酸的提取液甲醇與冰乙酸的體積比為9∶1。?
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