[發(fā)明專利]具有溝槽底部多晶硅結(jié)構(gòu)的功率半導(dǎo)體及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010230893.0
• 申請(qǐng)日: 2010-07-15
• 公開（公告）號(hào): CN102339851A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 涂高維
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 科軒微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 王月玲;武玉琴

1.一種功率半導(dǎo)體，其特征在于，包括：

一第一導(dǎo)電型的基材；

一溝槽，形成于該基材內(nèi)；

一重?fù)诫s多晶硅結(jié)構(gòu)，位于該溝槽的一下部份，并且，該重?fù)诫s多晶硅結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)邊是直接接觸該基材；

一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，位于該溝槽的一上部份；

一柵極介電層，位于該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與該重?fù)诫s多晶硅結(jié)構(gòu)之間；以及

一第二導(dǎo)電型的本體，位于該基材內(nèi)；

其中，該重?fù)诫s多晶硅結(jié)構(gòu)內(nèi)的摻雜是至少通過(guò)該重?fù)诫s多晶硅結(jié)構(gòu)的該側(cè)邊向外擴(kuò)散以形成一重?fù)诫s區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體，其特征在于，更包括一介電層，該介電層位于該溝槽的一底面，該重?fù)诫s多晶硅結(jié)構(gòu)是位于該介電層上方。

3.如權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體，其特征在于，該重?fù)诫s多晶硅結(jié)構(gòu)為該第一導(dǎo)電型。

4.如權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體，其特征在于，該重?fù)诫s多晶硅結(jié)構(gòu)為該第二導(dǎo)電型。

5.如權(quán)利要求4所述的功率半導(dǎo)體，其特征在于，該重?fù)诫s區(qū)是連接該本體。

6.如權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體，其特征在于，該重?fù)诫s多晶硅結(jié)構(gòu)是由多個(gè)重?fù)诫s多晶硅層堆棧而成，并且，該些重?fù)诫s多晶硅層是通過(guò)至少一介電層區(qū)分隔開來(lái)。

7.如權(quán)利要求6所述的功率半導(dǎo)體，其特征在于，該重?fù)诫s區(qū)是由多個(gè)重?fù)诫s子區(qū)所構(gòu)成，各該重?fù)诫s子區(qū)分別對(duì)應(yīng)于該些重?fù)诫s多晶硅層，并且，至少部分該些重?fù)诫s子區(qū)是互相連接。

8.如權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)是一柵極多晶硅結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)是電性連接至一源極。

10.一種功率半導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，包括：

提供一第一導(dǎo)電型的基材；

形成一溝槽于該基材內(nèi)；

形成一重?fù)诫s多晶硅結(jié)構(gòu)于該溝槽的一下部份內(nèi)，該重?fù)诫s多晶硅結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)邊是直接接觸該基材；

形成一柵極介電層至少覆蓋該重?fù)诫s多晶硅結(jié)構(gòu)的一上表面；

形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)于該溝槽的一上部份；以及

施以一熱擴(kuò)散制程，使該重?fù)诫s多晶硅結(jié)構(gòu)的摻雜向外擴(kuò)散以形成一重?fù)诫s區(qū)至少環(huán)繞該重?fù)诫s多晶硅結(jié)構(gòu)的該側(cè)邊。

11.如權(quán)利要求10所述的功率半導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，在形成該重?fù)诫s多晶硅結(jié)構(gòu)的步驟前，更包括形成一介電層于該溝槽的一底面。

12.如權(quán)利要求10所述的功率半導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，該熱擴(kuò)散制程同時(shí)用以形成一第二導(dǎo)電型的本體。

13.如權(quán)利要求10所述的功率半導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，該重?fù)诫s多晶硅結(jié)構(gòu)為該第一導(dǎo)電型。

14.如權(quán)利要求10所述的功率半導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，該重?fù)诫s多晶硅結(jié)構(gòu)為一第二導(dǎo)電型。

15.如權(quán)利要求14所述的功率半導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，形成該重?fù)诫s多晶硅結(jié)構(gòu)的步驟包括：

形成一第一重?fù)诫s多晶硅層于該溝槽內(nèi)；

形成一第一介電層覆蓋該第一重?fù)诫s多晶硅層；以及

形成一第二重?fù)诫s多晶硅層于該第一介電層上方。

16.如權(quán)利要求10所述的功率半導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)是一柵極多晶硅結(jié)構(gòu)。

17.如權(quán)利要求10所述的功率半導(dǎo)體的制造方法，其特征在于，更包括，沉積一源極金屬層電性連接該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。