[發(fā)明專利]用于裝卸半導(dǎo)體晶片的末端執(zhí)行器無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010229673.6 | 申請(qǐng)日: | 2004-03-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101908498A | 公開(公告)日: | 2010-12-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 保羅·曼茨 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 馬特森技術(shù)公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/687 | 分類號(hào): | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 葛飛 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 裝卸 半導(dǎo)體 晶片 末端 執(zhí)行 | ||
本申請(qǐng)是發(fā)明名稱為“用于裝卸半導(dǎo)體晶片的末端執(zhí)行器”、申請(qǐng)日為2004年3月23日、申請(qǐng)?zhí)枮?00810166483.7的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于裝卸半導(dǎo)體晶片的末端執(zhí)行器設(shè)計(jì),特別是公開了一種用于裝卸處于相對(duì)較低溫度的晶片的末端執(zhí)行器和一種用于裝卸處于相對(duì)較高溫度的晶片的末端執(zhí)行器。
背景技術(shù)
通常,集成電路指的是一種包含于單塊芯片上的電路,其包含有有源的和無源的電路元件。集成電路通過在基片上利用各種材料以預(yù)定的圖案擴(kuò)散和淀積連續(xù)的層而形成。所述材料可以包括諸如硅這樣的半導(dǎo)電性材料、諸如金屬這樣的導(dǎo)電性材料以及諸如氧化硅這樣的低介電性材料。包含在集成電路芯片中的半導(dǎo)電性材料被用來形成差不多所有的普通電路元件,比如電阻器、電容器、二極管以及晶體管。
一般來說,用于成形集成電路芯片的基片由薄的硅切片或者硅晶片制成。在集成電路芯片的制造過程中,半導(dǎo)體晶片一般被保持在被稱作“匣(cassette)”的載體中。在所述匣中晶片以堆疊方式相互間隔開。這些晶片利用晶片裝卸設(shè)備,通常也被稱作末端執(zhí)行器,單個(gè)地送入匣中和從匣中取出。末端執(zhí)行器可以被固連在一個(gè)機(jī)械手上,由所述機(jī)械手在一個(gè)、兩個(gè)或者三個(gè)方向上移動(dòng)該末端執(zhí)行器。
末端執(zhí)行器被設(shè)計(jì)成在一對(duì)相鄰晶片之間進(jìn)入所述匣中,并且拾取出一個(gè)晶片,例如用于送入一個(gè)處理腔內(nèi)。在該處理腔中,半導(dǎo)體晶片經(jīng)受多種工藝中的一種。例如,在該處理腔中,可以進(jìn)行化學(xué)氣相淀積工藝、蝕刻工藝、退火工藝和/或外延生長(zhǎng)工藝。
在晶片的運(yùn)輸過程中,必須非常小心以確保晶片不會(huì)遭受損壞或者污染。由此,在本行業(yè)已經(jīng)進(jìn)行了許多努力,以便設(shè)計(jì)出能夠以一種非常精確的方式小心運(yùn)輸晶片的末端執(zhí)行器和機(jī)械手。盡管在晶片裝卸領(lǐng)域已經(jīng)進(jìn)行了多種改進(jìn),但是,仍舊需要進(jìn)一步改進(jìn)。例如,許多晶片裝卸工具相對(duì)龐大并且笨重,以便適應(yīng)許多目前固連在該工具上的器械,來更為精確地運(yùn)輸晶片。但是,末端執(zhí)行器的尺寸限制了該末端執(zhí)行器在運(yùn)輸和加速時(shí)的速度。還有,相對(duì)龐大的末端執(zhí)行器要求處理腔包含相對(duì)較大的開口,以便接收該末端執(zhí)行器和承載于其上的晶片。
鑒于前述內(nèi)容,當(dāng)前需要對(duì)末端執(zhí)行器和機(jī)械手的設(shè)計(jì)進(jìn)行進(jìn)一步改進(jìn)。還有,需要一種相對(duì)細(xì)長(zhǎng)的產(chǎn)品設(shè)計(jì),不僅能夠確保精確的晶片控制,而且可以集成一個(gè)晶片探測(cè)系統(tǒng)和一個(gè)晶片推動(dòng)機(jī)構(gòu),其中所述晶片推動(dòng)機(jī)構(gòu)可以被用來在運(yùn)輸過程中抓持住晶片。還需要一種相對(duì)細(xì)長(zhǎng)的末端執(zhí)行器設(shè)計(jì),可以在裝卸冷晶片時(shí)和裝卸熱晶片時(shí)使用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明認(rèn)識(shí)到了現(xiàn)有末端執(zhí)行器設(shè)計(jì)上的各種缺陷和不足。因此,總體上來說,本發(fā)明涉及多種具有許多此前無法獲得的明顯優(yōu)點(diǎn)和益處的末端執(zhí)行器。
例如,在一個(gè)實(shí)施例中,本發(fā)明涉及一種用于裝卸半導(dǎo)體晶片的末端執(zhí)行器。這種末端執(zhí)行器包括一個(gè)具有近端和遠(yuǎn)端的基座構(gòu)件。例如,在一個(gè)實(shí)施例中,所述基座構(gòu)件可以包括一個(gè)以分叉方式與第二尖叉(tine)間隔開的第一尖叉。第一和第二尖叉可以終止于所述基座構(gòu)件的遠(yuǎn)端。在所述基座構(gòu)件上可以設(shè)置多個(gè)支撐構(gòu)件,用于接觸和支撐一個(gè)置于該末端執(zhí)行器上的晶片。依據(jù)特定用途,所述支撐構(gòu)件可以呈多種形式和形狀。在一個(gè)實(shí)施例中,所述支撐構(gòu)件可以僅被構(gòu)造成在晶片的邊緣處與該晶片發(fā)生接觸。在這里,“晶片的邊緣”指的是位于晶片頂表面與底表面之間的晶片邊界區(qū)域。例如,在過去,許多末端執(zhí)行器沿著晶片的周邊支撐起該晶片,所述周邊是該晶片底表面的一部分。
按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,所述末端執(zhí)行器具有一種相對(duì)細(xì)長(zhǎng)的輪廓。例如,所述末端執(zhí)行器可以具有小于12毫米的最大輪廓高度,比如小于10毫米。
在一個(gè)實(shí)施例中,所述末端執(zhí)行器還可以包括一個(gè)推動(dòng)裝置,用于在所述基座構(gòu)件上定位晶片。該推動(dòng)裝置可以包括一個(gè)可回縮活塞,該可回縮活塞被構(gòu)造成與半導(dǎo)體晶片的邊緣發(fā)生接觸。所述活塞可以在一個(gè)伸展位置與一個(gè)回縮位置之間移動(dòng)。
可以將一個(gè)偏壓構(gòu)件設(shè)置成與所述活塞工作性關(guān)聯(lián)。該偏壓構(gòu)件,例如可以是一根彈簧,可以朝向其回縮位置偏壓所述活塞。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





