[發明專利]用于裝卸半導體晶片的末端執行器

無效

• 申請號: 201010229673.6
• 申請日: 2004-03-23
• 公開（公告）號: CN101908498A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: 保羅·曼茨
• 申請（專利權）人: 馬特森技術公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 葛飛

1.一種用于裝卸半導體晶片的末端執行器，包括：

具有近端和遠端的基座構件；

多個位于所述基座構件上的支撐構件，用于接觸和支撐置于該末端執行器上的半導體晶片，這些支撐構件在它們之間限定出晶片接收區域；以及

多個應急銷，這些應急銷在所述基座構件的近端與遠端之間的中心區域中、位于所述基座構件上，每個應急銷的高度均低于由所述支撐構件限定的高度，這些應急銷位于所述基座構件上，以便防止支撐于所述支撐構件上的半導體晶片與所述基座構件的其它部分發生接觸。

2.如權利要求1所述的末端執行器，其中，所述應急銷具有這樣一個高度并且設置于這樣一個位置，使得這些應急銷僅在保持于所述支撐構件上的半導體晶片發生撓曲時與該半導體晶片發生接觸。

3.如權利要求1所述的末端執行器，其中，所述應急銷的高度小于約1毫米。

4.如權利要求1所述的末端執行器，其中，該末端執行器在所述晶片接收區域之內包括兩個在所述基座構件上的中心區域中跨過一間隔設置的應急銷。

5.如權利要求4所述的末端執行器，其中，所述基座構件包括與第二尖叉間隔開的第一尖叉，每個尖叉均包括一個限定出所述基座構件的遠端的端部，并且各個應急銷位于對應的尖叉上。

6.如權利要求1所述的末端執行器，其中，所述基座構件由包括金屬的材料制成。

7.如權利要求1所述的末端執行器，其中，所述基座構件由包括石英的材料制成。

8.如權利要求6所述的末端執行器，其中，所述支撐構件和應急銷均由晶體材料制成。

9.如權利要求8所述的末端執行器，其中，所述晶體材料包括石英。

10.如權利要求1所述的末端執行器，其中，至少一個所述支撐構件限定出一個呈外凸且偏心形狀的傾斜表面，該傾斜表面被構造成僅與半導體晶片的邊緣發生接觸。

11.如權利要求1所述的末端執行器，其中，所述支撐構件被構造成僅與半導體晶片的邊緣發生接觸。

12.如權利要求1所述的末端執行器，還包括位于所述基座構件的近端處的推動裝置，該推動裝置包括可回縮活塞，所述活塞被構造成半導體晶片的邊緣發生接觸，用于在所述基座構件上對所述晶片進行定位。

13.如權利要求1所述的末端執行器，其中，該末端執行器的最大輪廓高度低于約12毫米。

14.如權利要求1所述的末端執行器，其中，該末端執行器的最大輪廓高度低于約10毫米。

15.如權利要求12所述的末端執行器，其中，所述推動裝置中的活塞與氣動致動器作用上相關聯，該氣動致動器被構造成接收高壓氣體，用于將所述活塞從回縮位置移動至伸展位置。

16.如權利要求15所述的末端執行器，還包括與所述氣動致動器相鄰設置的吸氣裝置，該吸氣裝置被構造成產生吸力，用于捕獲在所述活塞運動過程中釋放出的任何顆粒。

17.如權利要求1所述的末端執行器，其中，還包括晶片探測系統，該晶片探測系統包括跨過所述基座構件與受光通道對置的送光通道，此送光通道被構造成朝向所述受光通道發射光束，并且該晶片探測系統被構造成在所述光束被晶片阻斷時探測出晶片的存在。

18.如權利要求1所述的末端執行器，其中，所述支撐構件具有拱形形狀，該拱形形狀大體上與半導體晶片的半徑匹配，各個支撐構件具有這樣一個晶片接觸表面，該晶片接觸表面從一個最大半徑逐漸變小至與所述基座構件相鄰的最小半徑，最大半徑與最小半徑之間的差值至少為約0.75毫米，所述支撐構件僅沿著半導體晶片的邊緣與該半導體晶片發生接觸。

19.如權利要求18所述的末端執行器，其中，所述支撐構件由能夠經受高達至少750℃溫度的材料制成。

20.如權利要求18所述的末端執行器，其中，包括所述支撐構件和應急銷的基座構件由晶體材料制成。

21.如權利要求20所述的末端執行器，其中，所述支撐構件和應急銷與所述基座構件一體成形。

22.如權利要求20所述的末端執行器，其中，所述結晶材料包括石英。