[發明專利]光刻設備

無效

• 申請號: 201010229247.2
• 申請日: 2010-07-16
• 公開（公告）號: CN102338987A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 郭勃琳
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;B08B3/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種光刻設備。

背景技術

半導體制作是指通過光刻，刻蝕，離子注入，封裝等工藝在半導體晶片上制作出集成電路的工藝。而光刻工藝處于半導體晶片加工過程的中心，通常被認為是IC制造中最關鍵的步驟，需要高性能以便結合其他工藝獲得高成品率，光刻成本在整個晶片加工成本中幾乎占到三分之一。

光刻工藝是指通過光掩膜將掩膜圖形轉移到晶片上的工藝。光掩膜的形成工藝例如為：通過噴嘴(Nozzle)將光刻膠旋涂在光掩膜支撐板上，通過烘烤(baker)等工藝最終形成光掩膜層(mask)，然后對光掩膜進行曝光，顯影等工藝形成掩膜圖案。形成光掩膜層的工藝通常在反應腔(chamber)內完成。在噴涂光刻膠的過程中，可能會有部分光刻膠黏附在反應腔的內壁并殘留在反應腔內壁，在執行下一次光掩膜層的涂布工藝時，由于反應腔內壁光刻膠殘留的存在，會在形成的光掩膜層上形成污染物粒子，所述的污染物粒子會影響光掩膜的性能，在隨后通過曝光顯影形成光掩膜圖案的過程中，具有污染物粒子的部位會產生光刻膠圖形的缺陷，參考附圖1所示，被圓圈圈出的部分即為光掩膜圖案上不應該存在的不透明缺陷。

對于現有的光掩膜層制作設備來說，由于反應腔內沒有對反應腔壁的清洗設備，如果反應腔的內壁產生了污染物粒子，就需要進行人工清洗，這不僅浪費了人力，而且，由于采用的清洗劑的原因，會對清洗設備的工程師的身體造成一定的傷害。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種用于形成光掩膜層的光刻設備，避免現有的光刻設備無法清洗反應腔內壁的缺陷。

本發明提供了一種光刻設備，包括：反應腔；位于反應腔內，用于在其上形成光掩膜層的卡盤；設置在反應腔內用于固定卡盤的固定盤，連接固定盤和卡盤并用于支撐卡盤的支撐柱，還包括：連接至固定盤，具有多個噴嘴的清洗裝置。

所述的噴嘴至少為6個，均勻設置在固定盤上。

所述的清洗裝置包括：用于儲存清洗液的儲液槽；與儲液槽連接，用于調節儲液槽內壓強的調壓裝置；與儲液槽連接，用于調節清洗液流量的流量計；通過管路與流量計連通并連接至固定盤的多個噴嘴；與噴嘴連接用于控制噴嘴開合的控制閥。

進一步，所述的清洗裝置還包括：總儲液槽，通過壓力調節泵與儲液槽連接。

進一步，所述的多個噴嘴通過一個連接器與所述管路連接。

進一步，所述的多個噴嘴均勻分布在固定盤的邊緣。

進一步，所述的噴嘴為兩端開口的球形。

由于采用了上述技術方案，與現有技術相比，本發明具有以下優點：

相對現有技術，本發明所述的光刻設備在反應腔內設置了清洗裝置，在反應腔內產生污染物粒子之后，可以通過所述清洗裝置清洗所述反應腔，避免了采用人工清洗造成的人力浪費，并且避免對人體產生傷害。

進一步，所述的清洗裝置的多個噴嘴設置在固定盤上，清洗液供給裝置一起其它流量控制裝置可設置在其它位置，并可以根據需要單獨控制，使用方便，并且沒有對現有的光刻設備結構造成其它影響。

附圖說明

圖1為現有光刻設備內壁產生污染物粒子之后在光掩膜層上產生的缺陷。

圖2為本發明實施例提供的光刻設備反應腔及其噴嘴的俯視圖。

圖3為本發明實施例提供的光刻設備反應腔及其噴嘴的截面結構示意圖。

圖4為本發明實施例提供的光刻設備的清洗裝置的結構示意圖。

圖5為本發明實施例所述的光刻設備在對反應腔進行清洗時清洗液噴射的示意圖。

圖6為本發明實施例所述噴嘴的結構示意圖。

具體實施方式

本發明提供一種光刻設備，包括：反應腔；位于反應腔內，用于在其上形成光掩膜層的卡盤；設置在反應腔內用于固定卡盤的固定盤，連接固定盤和卡盤并用于支撐卡盤的支撐柱，還包括：連接至固定盤，具有多個噴嘴的清洗裝置。

下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。

參考附圖2和附圖3所示，分別為反應腔以及與其相連的噴嘴的俯視圖和截面結構示意圖，由于本實施例對所述反應腔內的其它部件沒有任何改進，因此，在附圖以及描述中，都不涉及其它部件。

參考附圖2和3，所述光刻設備包括：反應腔；卡盤1，所述卡盤1設置在反應腔內，是光刻設備的主要部件，在形成光掩膜層時，將光刻膠通過旋涂的方式噴涂在卡盤1上，隨后進行烘焙等工藝去除光掩膜層中的水分，使其固化，然后再轉移至其它反應腔內進行曝光和顯影等工藝。所述卡盤可根據需要在反應腔內旋轉，并可以根據需要進行升降調節。