[發(fā)明專利]一種高壓恒流啟動(dòng)的內(nèi)部電源電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010229125.3
• 申請(qǐng)日: 2010-07-16
• 公開（公告）號(hào): CN101901019A
• 公開（公告）日: 2010-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 代國(guó)定;方展忠;劉文昊;楊令
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昌芯(西安)集成電路科技有限責(zé)任公司;深圳市泰德工業(yè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)有限公司
• 主分類號(hào): G05F3/26
• 分類號(hào): G05F3/26
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種高壓恒流啟動(dòng)的內(nèi)部電源電路，用于產(chǎn)生穩(wěn)定的內(nèi)部電源電壓，其特征在于：所述高壓恒流啟動(dòng)的內(nèi)部穩(wěn)壓電源電路，包括耐高壓LDMOS管隔離電路、恒流充電電路、電壓基準(zhǔn)電路及電平移位電路；

所述耐高壓LDMOS管隔離電路包括一個(gè)限流電阻R1和一個(gè)N溝道耐高壓LDMOS管MN1，所述耐高壓LDMOS管MN1用作調(diào)整管，輸入端連接電源引腳HVin，同時(shí)接受所述恒流充電電路和所述電平移位電路中過壓控制電路的信號(hào)，保證電路的正常啟動(dòng)和輸出電壓的穩(wěn)定；

所述恒流充電電路包括檢測(cè)電阻R2和反饋電流鏡，所述恒流充電電路連接耐高壓LDMOS管的源極，通過檢測(cè)充電電流是否過大，控制耐高壓LDMOS管的柵壓，穩(wěn)定充電電流，所述恒流充電電路輸出電壓信號(hào)LVout；

所述電壓基準(zhǔn)電路包括PTAT電流產(chǎn)生電路和基準(zhǔn)產(chǎn)生電路，所述電壓基準(zhǔn)電路以LVout信號(hào)作為輸入高電平，通過PTAT電流和負(fù)溫度系數(shù)電壓疊加來產(chǎn)生電壓基準(zhǔn)；

所述電平移位電路包括輸出緩沖級(jí)，用于產(chǎn)生更穩(wěn)定的輸出電壓VDD。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓恒流啟動(dòng)的內(nèi)部電源電路，其特征在于：所述的耐高壓LDMOS管隔離電路中，限流電阻R1的一端接輸入電壓HVin，另一端接LDMOS管MN1的柵極；LDMOS管MN1的漏極接輸入電壓HVin，源極接到恒流充電電路中檢測(cè)電阻R2的一端和PMOS管MP2的源極，柵極接限流電阻R1的一端以及NMOS管MN4和MN11的源極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓恒流啟動(dòng)的內(nèi)部電源電路，其特征在于：所述恒流充電電路由檢測(cè)電阻R2、PMOS管MP2及NMOS管MN3和MN4構(gòu)成；檢測(cè)電阻R2的一端與PMOS管MP2的源極相連，接到高壓隔離電路中耐高壓LDMOS調(diào)整管MN1的源極，另一端接到PMOS管MP2的柵極及電壓信號(hào)LVout的輸出端；PMOS管MP2的漏極接NMOS管MN3的漏極；NMOS管MN3和MN4的柵極相連，同時(shí)接到NMOS管MN3的漏極，NMOS管MN4的漏極接高壓隔離電路中耐高壓LDMOS調(diào)整管MN1的柵極，NMOS管MN3和MN4的源極都接地GND。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓恒流啟動(dòng)的內(nèi)部電源電路，其特征在于：所述電壓基準(zhǔn)電路由電阻R3和R4、雙極型晶體管Q1～Q4、PMOS管MP5和MP6以及NMOS管MN7～MN9構(gòu)成；R3的一端接輸出電壓LVout，另一端與NPN管Q1的集電極相連；NPN管Q1的基極和NPN管Q2的基極相連，接到NPN管Q1的集電極，它的發(fā)射極接NPN管Q3的集電極，同時(shí)接NPN管Q4的基極；NPN管Q3的發(fā)射極接地，基極接NPN管Q4的集電極；NPN管Q4的發(fā)射極接電阻R4的一端；電阻R4的另一端接地；NPN管Q2的發(fā)射極與NPN管Q4的集電極相連，其集電極與PMOS管MP5的漏極相連；PMOS管MP5的源極接電壓信號(hào)LVout的輸出端，柵極接PMOS管MP6的柵極，同時(shí)接PMOS管MP5的漏極；PMOS管MP6的源極接輸出電壓LVout，漏極接NMOS管MN7的漏極；NMOS管MN7的漏極和柵極相連，源極接NMOS管MN8的漏極；NMOS管MN8的漏極和柵極相連，源極接NMOS管MN9的漏極；NMOS管MN9的漏極和柵極相連，源極接地；NMOS管MN7～MN9的襯底都和它們的源極相連。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓恒流啟動(dòng)的內(nèi)部電源電路，其特征在于：所述電平移位電路由PMOS管MP10、雙極型晶體管Q5和Q6構(gòu)成；PMOS管MP10的柵極接電壓基準(zhǔn)電路中PMOS管MP5的柵極，源極接輸出電壓LVout，漏極接PNP管Q5的發(fā)射極，同時(shí)接到NPN管Q6的基極；PNP管Q5的基極接電壓基準(zhǔn)電路中PMOS管MP6的漏極，集電極接地；NPN管Q6的集電極接輸出電壓LVout，發(fā)射極接輸出內(nèi)部電源電壓VDD。