[發明專利]遮擋框及其制造方法無效
| 申請號: | 201010228618.5 | 申請日: | 2010-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN102315313A | 公開(公告)日: | 2012-01-11 |
| 發明(設計)人: | 劉芳鈺;樸炳俊;蘇金種 | 申請(專利權)人: | 世界中心科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/68 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中國臺灣臺中縣梧*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 遮擋 及其 制造 方法 | ||
【技術領域】
本發明是關于一種遮擋框及其制造方法,特別有關一種利用接合方式而實現的遮擋框及其制造方法。
【背景技術】
現有的光電半導體工藝中,為了避免玻璃基板受到擾動而影響工藝的順利進行,在玻璃基板上制作電子電路組件時,需將玻璃基板固定。一般采用與玻璃基板大小相仿的中空框架覆蓋其上并加以固定,中空部份露出的區域為玻璃基板進行工藝的區域,前述中空框架一般稱為遮檔框(Shadow?Frame)。
如下舉出一種光電半導體工藝中常用的設備-等離子體輔助化學氣相沉積(Plasma-Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition,PECVD)設備,以具體說明遮檔框的作用。
附圖1所示為常用的等離子體輔助化學氣相沉積設備1的裝置示意圖。在PECVD設備1中,擴散板(Diffuser)12及加熱板(Susceptor)14作為兩電極。進行化學氣相沉積時,氣體由入口11導入,經過均熱板17升溫后,自擴散板12上的多個孔洞通過。擴散板12與加熱板14間的電壓差使得氣體離子化形成等離子體16,而在玻璃基板10上沉積成膜,多余的氣體則從出口19排出。
附圖2所示是附圖1中的玻璃基板10、加熱板14及遮檔框20的裝配示意圖,即附圖1左下角虛線圓圈部分的放大示意圖。附圖3所示是附圖2中遮檔框20的俯視圖。在PECVD工藝進行中,玻璃基板10先置于加熱板14上,再以遮檔框20蓋住。遮檔框20內框側的凸緣抵壓住玻璃基板10,遮檔框20四邊的結合件25與加熱板14上的凸梢(未圖示)相嵌合,以將玻璃基板10固定。
如下舉出一種現有的遮檔框及其制造方法,請參閱附圖4a至附圖4c。
首先,如附圖4a所示,提供一基材40,其材質為鋁,鋁的密度小,具有易于搬動的優點。接著,如附圖4b所示,將基材40中央范圍42(虛線圍成的區域)切除,僅留基材40外圍的部份,其切除的范圍系經適當設計,以符合遮檔框的尺寸需求。最后,如附圖4c所示,切割完成即制成遮檔框44的框體。
現有技術中遮檔框的框體為一體成型的結構,框體沒有斷面或接合面,但其利用切除基材中央范圍的方式,造成大面積基材的浪費,使得制造成本提高,這種情形在大尺寸的玻璃基板下越發顯著。
在面板廠發展的進程中,使用的玻璃基板面積越來越大,而遮檔框的尺寸是配合玻璃基板來設計的,大尺寸遮檔框的需求也越來越高。以目前面板廠使用的遮檔框為例,第八代面板廠使用的遮檔框尺寸為2800×2400mm,第十代面板廠使用的遮檔框尺寸為3300×3000mm,隨著遮檔框的尺寸的要求越來越大,現有技術的遮檔框制造方式,在大量生產的情形下,基材的浪費越趨顯著,因而大幅提高制造成本。
【發明內容】
本發明所要解決的技術問題是,提供一種遮檔框及其制造方法,以提高基材利用率,避免基材的浪費,以減少制造成本。
為了解決上述問題,本發明提供了一種遮檔框,用于光電半導體工藝中將玻璃基板固定,所述遮檔框與承載所述玻璃基板的基座相嵌合而將所述玻璃基板固定,其中所述遮檔框具有多個框體構件及焊接部,所述多個框體構件于焊接部上相接合以形成所述遮檔框。
其中所述等框體構件中之一者具有一長邊及一短邊,所述焊接部位于所述長邊或所述短邊上。
其中所述等框體構件中之一者具有一斜邊,所述焊接部位于所述斜邊上。
其中所述焊接部具有鋸齒狀的焊接面。
其中所述等框體構件系選自由條狀、梯形及L形框體構件所組成的群組。
另一方面,本發明提供一種遮檔框的制造方法,所述遮檔框用于光電半導體工藝中將玻璃基板固定,所述遮檔框系與承載所述玻璃基板的基座相嵌合而將所述玻璃基板固定,所述遮檔框的制造方法包含:提供一基材;將所述基材進行切割以形成多個適當尺寸的框體構件;以及將所述多個框體構件進行焊接,使其彼此接合而形成所述遮檔框。
其中于焊接所述多個框體構件的步驟中,系采用摩擦攪拌式焊接法(Friction?Stir?Welding,FSW)或激光輔助摩擦攪拌焊接法(Laser?Assisted?Friction?Stir?Welding,LAF?SW)。
其中于焊接所述多個框體構件的步驟后,更包含對所述遮檔框進行解除應力的步驟。
其中于焊接所述等框體構件的步驟后,更包含對所述遮檔框進行陽極電鍍的步驟。
其中于切割所述基材的步驟中,將所述基材切割成條狀、梯形、L形、或上述各種形狀的組合的框體構件。。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于世界中心科技股份有限公司,未經世界中心科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010228618.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:時脈電路及時間復位方法
- 下一篇:一種組合項鏈
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





