[發明專利]電光器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201010227384.2
• 申請日: 2010-07-15
• 公開（公告）號: CN101958403A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 李亨燮;劉致旭;李成姬
• 申請（專利權）人: 周星工程股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/52
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種用于制造電光器件的方法，包括：

在基板上形成下電極；

形成與所述下電極交叉的第一絕緣膜；

在形成有所述下電極和所述第一絕緣膜的基板上形成有機膜；

在所述有機膜上形成頂膜；以及

通過利用激光劃線工藝去除所述頂膜的一部分形成與所述下電極交叉的上電極。

2.根據權利要求1所述的方法，其中在利用激光劃線工藝形成所述上電極時，所述上電極的下表面的邊緣區域位于所述第一絕緣膜的上方。

3.根據權利要求1所述的方法，其中在利用激光劃線工藝形成所述上電極時，去除設置在所述頂膜下方的有機膜的一部分以形成有機圖案，同時去除設置在所述有機膜下方的第一絕緣膜的一部分。

4.根據權利要求1所述的方法，其中在所述激光劃線工藝中使用的激光的寬度小于所述第一絕緣膜的寬度，且所述激光沿著所述第一絕緣膜的上側的中心區域移動。

5.根據權利要求4所述的方法，其中在所述激光劃線工藝期間，在所述激光沿著所述第一絕緣膜的上側的中心區域移動時，所述第一絕緣膜的中心區域、與所述第一絕緣膜的中心區域對應的有機膜和所述頂膜的一部分被去除。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述有機圖案的邊緣區域和所述上電極的邊緣區域位于其中心區域被去除的所述第一絕緣膜的邊緣區域的上方。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括形成覆蓋所述下電極的邊緣區域的第二絕緣膜，其中所述第二絕緣膜與所述下電極平行并與所述上電極和所述第一絕緣膜交叉。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜同時形成。

9.根據權利要求1到8中任一所述的方法，其中所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜由有機材料、無機材料和氧化物中的一種形成。

10.根據權利要求9所述的方法，其中利用印刷工藝和光刻工藝中的一種形成所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜。

11.一種電光器件，包括：

設置在基板上的下電極；

與所述下電極交叉的上電極；以及

設置在所述下電極和所述上電極之間以與所述下電極交叉并與所述上電極平行的第一絕緣膜。

12.根據權利要求11所述的電光器件，其中所述上電極的下表面的邊緣區域位于所述第一絕緣膜的上方。

13.根據權利要求11所述的電光器件，還包括被設置成與所述下電極平行并覆蓋所述下電極的邊緣區域的第二絕緣膜。

14.根據權利要求11所述的電光器件，還包括設置在所述上電極和所述下電極之間的有機圖案，且所述有機圖案的邊緣區域設置在所述第一絕緣膜上。