[發明專利]電光器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201010227384.2
• 申請日: 2010-07-15
• 公開（公告）號: CN101958403A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 李亨燮;劉致旭;李成姬
• 申請（專利權）人: 周星工程股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/52
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

技術領域

本發明涉及一種電光器件及其制造方法，更具體地，涉及一種能夠通過利用激光劃線工藝去除用于上電極的頂膜的一部分并因而形成上電極來簡化形成上電極的工藝的電光器件及制造這種電光器件的方法。

背景技術

通常，多個有機發光器件(OLED)設置在單個基板上的有機發光顯示器包括基板、在該基板上形成的多個下電極、覆蓋所述下電極的邊緣區域的絕緣膜、在所述多個下電極上形成的有機膜以及在有機膜上形成的、由分隔物隔開為與所述多個下電極交叉的多個上電極，從而多個OLED能夠被獨立驅動。簡單地說，在制造有機發光顯示器的現有方法中，該方法首先在基板的整個表面上沉積諸如氧化銦錫(ITO)的透明導電材料。接著，執行光刻工藝，從而形成多個下電極。然后，在下電極的邊緣區域上、即在下電極的上表面的邊緣區域和側面上形成絕緣膜。接著，為了在后續工藝中形成上電極，按照與下電極交叉的方式形成分隔物。在這里，通過用負性光刻膠涂覆基板，接著對該涂覆的負性光刻膠執行光刻工藝來形成5μm或更高的分隔物。然后，在基板上形成有機膜。接著，在形成有下電極和有機膜的基板的整個表面上沉積金屬膜。金屬膜被分隔物分隔開，由此被分隔開的金屬膜用作多個上電極。由于這樣形成分隔物和上電極，所以多個OLED能夠被獨立驅動。

但是，如果利用如同現有技術方法中的光刻工藝形成分隔物，就會需要多個制造步驟。因此，制造工藝太復雜，導致光刻工藝時間增加，制造成本也增加。

發明內容

本發明提供一種能夠通過利用激光劃線工藝去除在基板的整個表面上形成的頂膜的一部分并因而形成上電極來簡化形成上電極的工藝的電光器件，以及制造這種電光器件的方法。

根據典型實施例，一種用于制造電光器件的方法包括：在基板上形成下電極；形成與下電極交叉的第一絕緣膜；在形成有下電極和所述第一絕緣膜的基板上形成有機膜；在有機膜上形成頂膜；以及通過利用激光劃線工藝去除頂膜的一部分形成與下電極交叉的上電極。在這里，在利用激光劃線工藝形成上電極時，上電極的下表面的邊緣區域位于第一絕緣膜的上方。

在利用激光劃線工藝形成上電極時，可以去除設置在頂膜下方的有機膜的一部分以形成有機圖案，同時可以去除設置在有機膜下方的第一絕緣膜的一部分。

在激光劃線工藝中使用的激光的寬度可以小于第一絕緣膜的寬度，且所述激光沿著第一絕緣膜的上側的中心區域移動。

在所述激光劃線工藝期間，在激光沿著第一絕緣膜的上側的中心區域移動時，第一絕緣膜的中心區域、與第一絕緣膜的中心區域對應的有機膜和頂膜的一部分可以被去除。

所述有機圖案的邊緣區域和上電極的邊緣區域可位于其中心區域被去除的所述第一絕緣膜的邊緣區域的上方。

該方法可以包括形成覆蓋下電極的邊緣區域的第二絕緣膜，其中第二絕緣膜與下電極平行并與上電極和第一絕緣膜交叉。

第一絕緣膜和第二絕緣膜可以同時形成。

第一絕緣膜和第二絕緣膜可以由有機材料、無機材料和氧化物中的一種形成。

可以利用印刷工藝和光刻工藝中的一種形成第一絕緣膜和第二絕緣膜。

根據另一典型實施例，一種電光器件包括：設置在基板上的下電極；與下電極交叉的上電極；以及設置在下電極和上電極之間以與下電極交叉并與上電極平行的第一絕緣膜。

上電極的下表面的邊緣區域位于第一絕緣膜的上方。

該電光器件還可以包括被設置成與下電極平行并覆蓋下電極的邊緣區域的第二絕緣膜。

該電光器件還可以包括設置在上電極和下電極之間的有機圖案，且有機圖案的邊緣區域可以設置在第一絕緣膜上。

附圖說明

由下面的結合附圖的說明，可以更詳細地理解典型實施例，其中：

圖1A到圖5A是示出典型實施例的制造電光器件的方法的俯視圖；以及

圖1B到圖5B是沿著圖1A到圖5A的A-A’線截取的截面圖。

具體實施方式

下面將參考附圖更加詳細地描述本發明的具體實施例。但是，本發明可以以不同的形式體現，因此不應解釋為限制于這里闡述的實施例。更確切地說，提供這些實施例是為了使本發明全面且完整，并向本領域技術人員充分地傳達本發明的范圍。本文中相同的附圖標記表示相同的元件。

圖1A到圖5A是示出根據典型實施例的制造電光器件的方法的俯視圖，并且圖1B到圖5B是沿著圖1A到圖5A的A-A’線截取的截面圖。

根據典型實施例的制造電光器件的方法能夠簡化形成多個上電極600b的工藝，并提高該電光器件的可靠性。以下，將參照圖1A到圖5A以及圖1B到圖5B描述根據典型實施例的制造電光器件的方法。