[發明專利]一種光刻套準標記的保護裝置及金屬濺射工藝方法

有效

• 申請號: 201010227314.7
• 申請日: 2010-07-07
• 公開（公告）號: CN102315141A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 馬萬里;趙文魁
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/203
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種光刻套準標記的保護裝置，包括多個固定晶片的壓塊(102)，其特征在于，所述壓塊(102)具有一個外伸至晶片(101)上部的擋條(1021)，用以遮擋晶片(101)上的光刻套準標記。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述壓塊(102)中朝向晶片中心的一側開有凹槽(1022)，所述凹槽(1022)的上下表面之間布置有豎向的圓桿(1023)和橫向的所述擋條(1021)；

所述圓桿(1023)貫穿所述擋條(1021)以及凹槽(1022)的上下表面。

3.如權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述圓桿(1023)貫穿所述擋條(1021)，包括：

所述擋條(1021)的一端開有第一通孔(1024)，所述圓桿(1023)貫穿所述第一通孔(1024)。

4.如權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述圓桿(1023)貫穿凹槽(1022)的上下表面，包括：

所述凹槽(1022)的上表面有貫穿壓塊(102)上表面和所述凹槽(1022)上表面的第二通孔(1025)，所述凹槽(1022)的下表面有一沉孔(1026)，所述圓桿(1023)穿過所述第二通孔(1025)并且其下端固定于所述沉孔(1026)中。

5.如權利要求1-4任一項所述的裝置，其特征在于，所述擋條(1021)的寬度大于所述光刻套準標記的寬度。

6.如權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述擋條(1021)的寬度為5-10mm。

7.如權利要求1-4任一項所述的裝置，其特征在于，所述擋條(1021)采用鐵質或銅質金屬。

8.如權利要求1-4任一項所述的裝置，其特征在于，該光刻套準標記的保護裝置設置于金屬濺射設備之中。

9.一種使用如權利要求1所述的光刻套準標記的保護裝置進行金屬濺射的工藝方法，其特征在于，包括：

在與壓塊固定的晶片平行的平面上，旋轉所述壓塊上外伸的擋條，使所述擋條遮擋住所述晶片上前層工藝留下的光刻套準標記；

對所述晶片進行金屬濺射操作，在所述晶片上所述擋條遮擋區域之外的區域濺射金屬層。