[發(fā)明專利]一種光刻套準(zhǔn)標(biāo)記的保護(hù)裝置及金屬濺射工藝方法

有效

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• 申請日: 2010-07-07
• 公開（公告）號: CN102315141A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬萬里;趙文魁
• 申請（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/203
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片加工領(lǐng)域，尤其涉及一種光刻套準(zhǔn)標(biāo)記的保護(hù)裝置及金屬濺射工藝方法。

背景技術(shù)

對于需要采用厚金屬層的芯片，比如DMOS產(chǎn)品有著應(yīng)用于大電流與高電壓場合的特點，而大電流與高電壓又限制了在制作芯片時，需要濺射較厚的金屬層例如金屬鋁層。

但是如果較厚的金屬層如鋁層覆蓋在前層工藝步驟留下的光刻套準(zhǔn)標(biāo)記上時，可能會嚴(yán)重影響到對準(zhǔn)標(biāo)記的形貌，導(dǎo)致光刻機(jī)在濺射工序之后的光刻工序中產(chǎn)生對準(zhǔn)困難甚至無法完成光刻。

傳統(tǒng)半導(dǎo)體芯片加工工藝的解決方法包括，控制鋁層的厚度或改善鋁層的質(zhì)量，或者在不改變鋁層厚度和質(zhì)量的前提下，增加前層工藝的介質(zhì)厚度以便刻蝕出高度更高的對準(zhǔn)標(biāo)記。

現(xiàn)有的解決方法中，如果通過控制鋁層厚度可以改善光刻對準(zhǔn)效果的方案，可能會與提高產(chǎn)品電性參數(shù)相違背；如果通過改善鋁層質(zhì)量，可以改善套準(zhǔn)標(biāo)記表面的光學(xué)性質(zhì)，但是對于很厚的鋁層，套準(zhǔn)標(biāo)記輪廓不清晰，所以效果并不明顯；如果通過增加前層介質(zhì)層的厚度，以刻蝕出較高的套準(zhǔn)標(biāo)記，可以改善厚鋁層的光刻對準(zhǔn)效果，但這需改變前層工藝中介質(zhì)層的厚度，過于厚的介質(zhì)層可能并不是前層所需要的。上述傳統(tǒng)的解決方法，不能有效地解決后續(xù)金屬層的制作遮擋光刻套準(zhǔn)標(biāo)記的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種光刻套準(zhǔn)標(biāo)記的保護(hù)裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的后續(xù)的制作金屬層的工藝遮擋住前層工藝步驟留下的光刻套準(zhǔn)標(biāo)記上，導(dǎo)致光刻機(jī)在光刻工序中產(chǎn)生對準(zhǔn)困難的問題。

本發(fā)明實施例提供的一種光刻套準(zhǔn)標(biāo)記的保護(hù)裝置，包括多個固定晶片的壓塊，其中，每個壓塊具有一個外伸至晶片上部的擋條，用以遮擋晶片上的光刻套準(zhǔn)標(biāo)記。

進(jìn)一步地，所述壓塊中朝向晶片中心的一側(cè)開有凹槽，所述凹槽的上下表面之間布置有豎向的圓桿和橫向的所述擋條；

所述圓桿貫穿所述擋條以及凹槽的上下表面。

進(jìn)一步地，所述圓桿貫穿所述擋條，包括：

所述擋條的一端開有第一通孔，所述圓桿貫穿所述第一通孔。

進(jìn)一步地，所述圓桿貫穿凹槽的上下表面，包括：

所述凹槽的上表面有貫穿壓塊上表面和所述凹槽上表面的第二通孔，所述凹槽的下表面有一沉孔，所述圓桿穿過所述第二通孔并且其下端固定于所述沉孔中。

進(jìn)一步地，所述擋條的寬度大于所述光刻套準(zhǔn)標(biāo)記的寬度。

進(jìn)一步地，所述擋條的寬度為5-10mm。

進(jìn)一步地，所述擋條采用鐵質(zhì)或銅質(zhì)金屬。

進(jìn)一步地，該光刻套準(zhǔn)標(biāo)記的保護(hù)裝置設(shè)置于金屬濺射設(shè)備之中。

本發(fā)明實施例提供的使用本發(fā)明實施例提供的上述光刻套準(zhǔn)標(biāo)記的保護(hù)裝置進(jìn)行金屬濺射的工藝方法，包括下述步驟：

在與壓塊固定的晶片平行的平面上，旋轉(zhuǎn)所述壓塊上外伸的擋條，使所述擋條遮擋住所述晶片上前層工藝留下的光刻套準(zhǔn)標(biāo)記；

對所述晶片進(jìn)行金屬濺射操作，在所述晶片上所述擋條遮擋區(qū)域之外的區(qū)域濺射金屬層。

本發(fā)明實施例的有益效果，包括：

本發(fā)明實施例提供的光刻套準(zhǔn)標(biāo)記的保護(hù)裝置及金屬濺射工藝方法，在固定晶片的壓塊上設(shè)置一個外伸至晶片上部的擋條，該擋條能夠在金屬濺射工藝過程中遮擋住晶片上的光刻套準(zhǔn)標(biāo)記，使得光刻套準(zhǔn)標(biāo)記的形貌清晰，在后續(xù)光刻工序中，能夠準(zhǔn)確地對準(zhǔn)，保證了光刻工序的正常進(jìn)行。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的光刻套準(zhǔn)標(biāo)記的保護(hù)裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的金屬濺射設(shè)備中光刻套準(zhǔn)標(biāo)記的保護(hù)裝置的俯視圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的光刻套準(zhǔn)標(biāo)記的保護(hù)裝置中壓塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的金屬濺射工藝方法的流程圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的經(jīng)過金屬濺射工藝步驟之后的晶片示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明實施例提供的一種光刻套準(zhǔn)標(biāo)記的保護(hù)裝置及金屬濺射工藝方法的具體實施方式進(jìn)行詳細(xì)地說明。

本發(fā)明實施例提供的光刻套準(zhǔn)標(biāo)記的保護(hù)裝置，如圖1所示，包括多個用于固定晶片101的壓塊102，每個壓塊102都具有一個外伸至晶片101上部的擋條1021，該擋條1021用以遮擋晶片101上的光刻套準(zhǔn)標(biāo)記。

較佳地，該保護(hù)裝置可設(shè)置于現(xiàn)有的金屬濺射設(shè)備之中，由于光刻工序中的光刻套準(zhǔn)標(biāo)記通常會不少于三個，因此，本發(fā)明實施例提供的光刻套準(zhǔn)標(biāo)記的保護(hù)裝置中，壓塊和擋條的數(shù)量最好不少于三個。