[發(fā)明專利]集成電路晶圓切割方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010225898.4
• 申請日: 2010-07-09
• 公開（公告）號: CN102315168A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林青山;吳坤泰;汪志昭
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞鼎科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 中國商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 11234
• 代理人: 萬學(xué)堂;周偉明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種集成電路晶圓切割方法。其中，可通過集成電路晶圓切割方法形成集成電路晶粒。

背景技術(shù)

硅晶圓是目前制做集成電路的基底材料(Substrate)，通過集成電路制造技術(shù)，經(jīng)過一系列復(fù)雜的化學(xué)、物理和光學(xué)過程，完成的集成電路晶圓上可產(chǎn)生出數(shù)以千、百計的晶粒(die)。這些晶粒經(jīng)過測試、切割、封裝等過程，可進(jìn)一步成為一顆顆具有各種功能的集成電路產(chǎn)品。

如圖1及圖1中區(qū)域80的PP縱切面放大的圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)，集成電路晶圓900包含晶圓基板100、復(fù)數(shù)個集成電路300以及復(fù)數(shù)個測試鍵400。現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行晶圓切割時通常是以切割刀沿相鄰的集成電路300間的路徑對集成電路晶圓900施外力K。由于切割時僅是以切割刀直接對集成電路晶圓900進(jìn)行切割，因此，集成電路晶圓900會受切割應(yīng)力破壞而產(chǎn)生有裂痕及損壞的情形。另一方面，測試鍵400是分布在集成電路300間，亦即在切割路徑上，故現(xiàn)有技術(shù)在切割時亦容易因破壞測試鍵產(chǎn)生的金屬碎屑飛濺至集成電路而導(dǎo)致良率下降。以上集成電路晶圓以及集成電路晶圓切割方法有改善的空間。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的為提供一種集成電路晶圓切割方法，具有較佳的集成電路晶圓切割良率。

本發(fā)明的集成電路晶圓切割方法，包含以下步驟：于晶圓基板形成復(fù)數(shù)個集成電路以及復(fù)數(shù)個測試鍵，其中，測試鍵分別形成于集成電路之間；于晶圓基板上形成圖案化保護(hù)層，圖案化保護(hù)層覆蓋復(fù)數(shù)個集成電路并暴露復(fù)數(shù)個測試鍵；使用圖案化保護(hù)層做為遮罩，蝕刻去除測試鍵；以及切割集成電路之間的區(qū)域，以形成復(fù)數(shù)個集成電路晶粒。測試鍵是供晶圓基板接受度測試使用。測試鍵包含電晶體、電容、電阻、N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體、復(fù)型半導(dǎo)體或金屬線元件。

圖案化保護(hù)層較佳是光阻。圖案化保護(hù)層的形成步驟包含以下步驟：形成光阻層以覆蓋晶圓基板；使用光罩，對光阻層進(jìn)行曝光；以及對光阻層進(jìn)行顯影，以形成圖案化保護(hù)層。其中，蝕刻步驟包含使用干式或濕式蝕刻工藝。蝕刻步驟進(jìn)一步包含于測試鍵的位置形成復(fù)數(shù)個凹槽，切割步驟進(jìn)一步包含沿凹槽切割。集成電路較佳是以矩陣分布。

附圖說明

圖1及圖2為現(xiàn)有技術(shù)示意圖；

圖3為本發(fā)明集成電路晶圓切割方法的實施例流程圖；

圖4A至圖5為本發(fā)明實施例中形成圖案化保護(hù)層的示意圖；

圖6A及圖6B為本發(fā)明已去除測試鍵的實施例示意圖；以及

圖7為本發(fā)明集成電路晶圓切割方法的另一實施例流程圖。

主要元件符號說明

80區(qū)域????????????????666光罩

90集成電路晶圓??25????600凹槽

100晶圓基板???????????900集成電路晶圓

300集成電路???????????F外力

400測試鍵?????????????K外力

500光阻層

具體實施方式

如圖3所示，本發(fā)明的集成電路晶圓切割方法，包含：

步驟1010，于晶圓基板形成復(fù)數(shù)個集成電路以及復(fù)數(shù)個測試鍵，其中，測試鍵分別形成于集成電路之間。具體而言，是以重復(fù)施以熱工藝、沉積、微影、蝕刻等半導(dǎo)體過程，如圖1及圖1中區(qū)域80的PP縱切面放大的圖2所示于晶圓基板100上形成集成電路300以及測試鍵400。其中，可通過光罩圖案控制集成電路300以及測試鍵400的形成位置。其中，集成電路300是以矩陣分布方式形成于晶圓基板100上。具體而言，在如圖1所示的實施例中，集成電路300是以方型為單位，呈矩陣分布方式形成于晶圓基板100上，以便對準(zhǔn)進(jìn)行制造及切割，但不以實施例所示為限。

測試鍵400分別形成于集成電路300之間。進(jìn)一步而言，測試鍵400是形成于后續(xù)切割晶圓基板100以形成含有集成電路300的復(fù)數(shù)晶粒的切割路徑上。其中，測試鍵400是供晶圓基板接受度測試(Wafer?Acceptance?Test)使用。亦即，可通過對分布在晶圓基板100上的測試鍵400進(jìn)行電性測試獲知晶圓基板100的接受度(亦即質(zhì)量是否良好)。測試鍵400包含電晶體、電容、電阻、N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體、復(fù)型半導(dǎo)體或金屬線元件等。