[發明專利]集成電路晶圓切割方法無效
| 申請號: | 201010225898.4 | 申請日: | 2010-07-09 |
| 公開(公告)號: | CN102315168A | 公開(公告)日: | 2012-01-11 |
| 發明(設計)人: | 林青山;吳坤泰;汪志昭 | 申請(專利權)人: | 瑞鼎科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78 |
| 代理公司: | 中國商標專利事務所有限公司 11234 | 代理人: | 萬學堂;周偉明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 切割 方法 | ||
1.一種集成電路晶圓切割方法,包含以下步驟:
于一晶圓基板形成復數個集成電路以及復數個測試鍵,其中該些測試鍵分別形成于該些集成電路之間;
于該晶圓基板上形成一圖案化保護層,該圖案化保護層覆蓋該復數個集成電路并暴露該復數個測試鍵;
使用該圖案化保護層做為遮罩,蝕刻去除該些測試鍵;以及
切割該些集成電路之間的區域,以形成復數個集成電路晶粒。
2.如權利要求1所述的集成電路晶圓切割方法,其中該圖案化保護層是光阻。
3.如權利要求2所述的集成電路晶圓切割方法,其中該圖案化保護層的形成步驟包含:
形成一光阻層以覆蓋該晶圓基板;
使用一光罩,對該光阻層進行曝光;以及
對該光阻層進行顯影,以形成該圖案化保護層。
4.如權利要求1所述的集成電路晶圓切割方法,其中該蝕刻步驟包含使用干式蝕刻工藝。
5.如權利要求1所述的集成電路晶圓切割方法,其中該蝕刻步驟包含使用濕式蝕刻工藝。
6.如權利要求1所述的集成電路晶圓切割方法,其中該蝕刻步驟進一步包含于該些測試鍵的位置形成復數個凹槽,該切割步驟進一步包含沿該些凹槽切割。
7.一種集成電路晶圓切割方法,包含以下步驟:
提供一晶圓基板,包含復數個集成電路,其中該些集成電路以切割路徑分隔;
于該晶圓基板上形成一圖案化保護層,該圖案化保護層覆蓋該復數個集成電路并暴露該切割路徑;
使用該圖案化保護層做為遮罩,蝕刻去除該切割路徑中的金屬層;以及
沿該切割路徑切割該晶圓基板,以形成復數個集成電路晶粒。
8.如權利要求7所述的集成電路晶圓切割方法,其中該圖案化保護層形成步驟包含:利用光阻材料形成該圖案化保護層。
9.如權利要求7所述的集成電路晶圓切割方法,其中該去除該切割路徑中的金屬層步驟包含:去除該切割路徑中的測試鍵。
10.如權利要求7所述的集成電路晶圓切割方法,更包含于該蝕刻步驟后,去除該圖案化保護層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





