[發(fā)明專利]離子遷移管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010225133.0
• 申請日: 2010-07-05
• 公開（公告）號: CN102315076A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設計）人: 張陽天;彭華;張秀庭;鄭小永
• 申請（專利權(quán)）人: 同方威視技術(shù)股份有限公司
• 主分類號: H01J49/26
• 分類號: H01J49/26;G01N27/62
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明總體上涉及一種基于離子遷移原理用于痕量檢測的檢測設備，尤其是涉及一種離子遷移管。

背景技術(shù)

離子遷移管是基于離子遷移原理的檢測設備的核心部件，通常包括離化源艙、離子門、遷移區(qū)、抑制柵、法拉第盤。傳統(tǒng)遷移管的上述構(gòu)件分別采用獨立的金屬極片構(gòu)成各個組成部分，極片之間用絕緣材料隔開，金屬極片連接外部線纜或者在金屬極片之間焊接分立的分壓電阻，或者將分壓電阻放到遷移管的外部。這樣的遷移管結(jié)構(gòu)復雜，引線較多，并且由于兩個極片相互通過導線或電子元件焊接在一起而不容易拆卸。此外，在傳統(tǒng)的離子遷移管中，離子門、抑制柵等結(jié)構(gòu)都采用網(wǎng)狀或絲狀的薄金屬制成，強度較差，由于變形導致的性能變化明顯，影響了檢測精確度。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的一個目的在于提出一種結(jié)構(gòu)簡單、制造和拆卸方便的離子遷移管。

根據(jù)本發(fā)明的離子遷移管包括沿前后方向順序疊置在一起的具有中心離化源艙孔的離化源艙、離子門、具有中心遷移管腔的遷移區(qū)單元、抑制柵、和法拉第盤，其中所述遷移區(qū)單元包括第一絕緣體和分別同心地固定在第一絕緣體正面和背面上的第一金屬極片。

根據(jù)本發(fā)明實施例的遷移管，遷移區(qū)單元由一體的第一絕緣體和第一金屬極片構(gòu)成，因此制造簡單，拆卸和安裝方便。

另外，根據(jù)本發(fā)明實施例的離子遷移管還具有如下附加技術(shù)特征：

所述第一絕緣體形成有分別位于第一金屬極片徑向外側(cè)的第一電子元件容納孔。

第一絕緣體進一步形成有位于第一金屬極片徑向外側(cè)的第一走線孔。

所述離化源艙包括第二絕緣體和分別同心地固定在第二絕緣體正面和背面上且彼此連接的第二金屬極片。

所述第二絕緣體形成有分別位于第二金屬極片徑向外側(cè)的第二電子元件容納孔。

第二絕緣體進一步形成有位于第二金屬極片徑向外側(cè)的第二走線孔。

離化源艙形成有貫通第二絕緣體和第二金屬極片的第二電氣過孔。

所述離子門包括第三絕緣體和分別同心地固定在第三絕緣體正面和背面上的第三金屬極片。

所述第三絕緣體形成有分別位于第三金屬極片徑向外側(cè)的第三電子元件容納孔。

所述第三絕緣體形成有位于第三金屬極片徑向外側(cè)的第三走線孔。

所述抑制柵包括第四絕緣體和分別同心地固定在第四絕緣體正面和背面上且彼此連接的第四正面金屬極片和第四背面金屬極片，其中第四背面金屬極片為環(huán)形。

所述第四絕緣體上形成有分別位于第四正面金屬極片和第四背面金屬極片徑向外側(cè)的第四電子元件容納孔。

所述第四絕緣體上形成有位于第四正面金屬極片和第四背面金屬極片徑向外側(cè)的第四走線孔。

所述抑制柵形成有貫通第四絕緣體用于連接第四正面金屬極片和第四背面金屬極片的第四電氣過孔。

所述法拉第盤包括第五絕緣體和分別同心地固定在第五絕緣體正面和背面上且彼此連接的第五金屬極片。

所述第五絕緣體形成有分別位于第五金屬極片徑向外側(cè)的第五電子元件容納孔。

所述法拉第盤進一步包括分別同心地固定在第五絕緣體正面和背面上、分別套在第五金屬極片徑向外側(cè)且彼此連接的環(huán)形金屬極片，其中所述第五電子元件容納孔位于環(huán)形金屬極片徑向外側(cè)。

第五絕緣體進一步形成有位于環(huán)形金屬極片徑向外側(cè)的第五走線孔。

所述第五絕緣體形成有位于環(huán)形金屬極片內(nèi)側(cè)與第五金屬極片外側(cè)的通風孔。

所述法拉第盤形成有用于連接環(huán)形金屬極片的第五電氣過孔。

根據(jù)本發(fā)明實施例的離子遷移管進一步包括順序疊置在法拉第盤后面的法拉第盤后蓋環(huán)和法拉第盤后蓋板，所述法拉第盤后蓋板包括第六絕緣體和分別同心地固定在第六絕緣體正面和背面上且彼此相連的第六金屬極片，且所述法拉第盤后蓋環(huán)包括具有第七中心孔的第七絕緣體和分別同心地固定在第七絕緣體正面和背面的第七環(huán)形金屬極片。

所述第六絕緣體上形成有分別位于第六金屬極片徑向外側(cè)的第六走線孔，且所述第七絕緣體上形成有分別位于第七環(huán)形金屬極片徑向外側(cè)的第七走線孔。

所述法拉第盤后蓋板形成有分別貫通第六絕緣體和第六金屬極片的第六電氣過孔。

所述法拉第盤后蓋板在背面安裝有氣嘴。

所述離化源艙、離子門、遷移區(qū)單元、抑制柵、法拉第盤和法拉第盤后蓋板分別形成有安裝孔且它們通過穿過安裝孔的螺栓疊置在一起。

第一絕緣體為陶瓷，且所述第一金屬極片分別通過腐蝕、電鍍、沉積或噴涂形成在第一絕緣體上。