[發明專利]離子遷移管

有效

• 申請號: 201010225133.0
• 申請日: 2010-07-05
• 公開（公告）號: CN102315076A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 張陽天;彭華;張秀庭;鄭小永
• 申請（專利權）人: 同方威視技術股份有限公司
• 主分類號: H01J49/26
• 分類號: H01J49/26;G01N27/62
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

1.一種離子遷移管，其特征在于，包括沿前后方向順序疊置在一起的具有中心離化源艙孔的離化源艙、離子門、具有中心遷移管腔的遷移區單元、抑制柵、和法拉第盤，其中所述遷移區單元包括第一絕緣體和分別同心地固定在第一絕緣體正面和背面上的第一金屬極片。

2.根據權利要求1所述的離子遷移管，其特征在于，所述第一絕緣體形成有分別位于第一金屬極片徑向外側的第一電子元件容納孔。

3.根據權利要求2所述的離子遷移管，其特征在于，所述第一絕緣體進一步形成有位于第一金屬極片徑向外側的第一走線孔。

4.根據權利要求1所述的離子遷移管，其特征在于，所述離化源艙包括第二絕緣體和分別同心地固定在第二絕緣體正面和背面上且彼此連接的第二金屬極片。

5.根據權利要求4所述的離子遷移管，其特征在于，所述第二絕緣體形成有分別位于第二金屬極片徑向外側的第二電子元件容納孔。

6.根據權利要求5所述的離子遷移管，其特征在于，所述第二絕緣體進一步形成有位于第二金屬極片徑向外側的第二走線孔。

7.根據權利要求6所述的離子遷移管，其特征在于，所述離化源艙形成有貫通第二絕緣體和第二金屬極片的第二電氣過孔。

8.根據權利要求1所述的離子遷移管，其特征在于，所述離子門包括第三絕緣體和分別同心地固定在第三絕緣體正面和背面上的第三金屬極片。

9.根據權利要求8所述的離子遷移管，其特征在于，所述第三絕緣體形成有分別位于第三金屬極片徑向外側的第三電子元件容納孔。

10.根據權利要求9所述的離子遷移管，其特征在于，所述第三絕緣體形成有位于第三金屬極片徑向外側的第三走線孔。

11.根據權利要求1所述的離子遷移管，其特征在于，所述抑制柵包括第四絕緣體和分別同心地固定在第四絕緣體正面和背面上且彼此連接的第四正面金屬極片和第四背面金屬極片，且第四背面金屬極片為環形。

12.根據權利要求11所述的離子遷移管，其特征在于，所述第四絕緣體上形成有分別位于第四正面金屬極片和第四背面金屬極片徑向外側的第四電子元件容納孔。

13.根據權利要求12所述的離子遷移管，其特征在于，所述第四絕緣體上形成有位于第四正面金屬極片和第四背面金屬極片徑向外側的第四走線孔。

14.根據權利要求13所述的離子遷移管，其特征在于，所述抑制柵形成有貫通第四絕緣體用于連接第四正面金屬極片和第四背面金屬極片的第四電氣過孔。

15.根據權利要求1所述的離子遷移管，其特征在于，所述法拉第盤包括第五絕緣體和分別同心地固定在第五絕緣體正面和背面上且彼此連接的第五金屬極片。

16.根據權利要求15所述的離子遷移管，其特征在于，所述第五絕緣體形成有分別位于第五金屬極片徑向外側的第五電子元件容納孔。

17.根據權利要求16所述的離子遷移管，其特征在于，所述法拉第盤進一步包括分別同心地固定在第五絕緣體正面和背面上、分別套在第五金屬極片徑向外側且彼此連接的環形金屬極片，其中所述第五電子元件容納孔位于環形金屬極片徑向外側。

18.根據權利要求17所述的離子遷移管，其特征在于，所述第五絕緣體進一步形成有位于環形金屬極片徑向外側的第五走線孔。

19.根據權利要求18所述的離子遷移管，其特征在于，所述第五絕緣體形成有位于環形金屬極片內側與第五金屬極片外側的通風孔。

20.根據權利要求19所述的離子遷移管，其特征在于，所述法拉第盤形成有用于連接環形金屬極片的第五電氣過孔。

21.根據權利要求1所述的離子遷移管，其特征在于，進一步包括順序疊置在法拉第盤后面的法拉第盤后蓋環和法拉第盤后蓋板，所述法拉第盤后蓋板包括第六絕緣體和分別同心地固定在第六絕緣體正面和背面上且彼此相連的第六金屬極片，且所述法拉第盤后蓋環包括具有第七中心孔的第七絕緣體和分別同心地固定在第七絕緣體正面和背面的第七環形金屬極片。