[發明專利]像素結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201010224958.0
• 申請日: 2010-07-05
• 公開（公告）號: CN101894836A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 劉恩鴻;鄭景升;石志鴻
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1362
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種像素結構，包括：

基板；

柵極線以及柵極，設置于該基板上；

絕緣層，覆蓋于該基板之上；

半導體層，設置于該絕緣層上；

數據線、源極以及漏極，設置于該絕緣層與該半導體層上，其中該柵極、該半導體層、該源極與該漏極形成薄膜晶體管；

平坦層，設置于該數據線、該源極與該漏極之上，其中該平坦層具有接觸洞，暴露出該漏極；以及

像素電極，設置于該平坦層上，且該像素電極透過該接觸洞與該漏極電性連接，其中該像素電極包括：

不透明主干電極，設置于該平坦層上，其中該不透明主干電極包括第一不透明主干電極沿第一軸向設置；以及

多條透明分支電極，其中各該透明分支電極的一端與該第一不透明主干電極電性連接。

2.如權利要求1所述的像素結構，其中該多個透明分支電極包括多條第一透明分支電極與多條第二透明分支電極，該多個第一透明分支電極設置于該第一不透明主干電極的左側并沿第一方向平行設置，該多個第二透明分支電極設置于該第一不透明主干電極的右側并沿第二方向平行設置。

3.如權利要求1所述的像素結構，其中該像素電極還包括透明主干電極，與該不透明主干電極以及該多個透明分支電極電性連接，該透明主干電極包括第一透明主干電極沿該第一軸向設置，且該第一透明主干電極與該第一不透明主干電極至少部分重疊并接觸。

4.如權利要求3所述的像素結構，其中該第一透明主干電極的線寬小于等于該第一不透明主干電極的線寬。

5.如權利要求3所述的像素結構，其中該透明主干電極與該多個透明分支電極由同一透明導電圖案層所構成。

6.如權利要求3所述的像素結構，其中該不透明主干電極設置于該透明主干電極之上。

7.如權利要求3所述的像素結構，其中該不透明主干電極設置于該透明主干電極之下。

8.如權利要求1所述的像素結構，其中該柵極線與該柵極由第一不透明導電圖案層所構成，該數據線、該源極與該漏極由第二不透明導電圖案層所構成，而該不透明主干電極由第三不透明導電圖案層所構成。

9.如權利要求1所述的像素結構，其中該數據線包括第一數據線段與第二數據線段，該第一數據線段、該柵極線與該柵極由第一不透明導電圖案層所構成，該第二數據線段、該源極與該漏極由第二不透明導電圖案層所構成，而該不透明主干電極由第三不透明導電圖案層所構成。

10.如權利要求1所述的像素結構，其中該不透明主干電極還包括第二不透明主干電極沿與該第一軸向垂直的第二軸向設置，且該第二不透明主干電極與該第一不透明主干電極電性連接。

11.如權利要求10所述的像素結構，其中該像素電極還包括透明主干電極，與該不透明主干電極以及該多個透明分支電極電性連接，該透明主干電極包括第一透明主干電極沿該第一軸向設置，以及第二透明主干電極沿該第二軸向設置，該第一透明主干電極與該第一不透明主干電極至少部分重疊并接觸，且該第二透明主干電極與該第二不透明主干電極至少部分重疊并接觸。

12.如權利要求11所述的像素結構，其中該第一透明主干電極的線寬小于等于該第一不透明主干電極的線寬，且該第二透明主干電極的線寬小于等于該第二不透明主干電極的線寬。

13.如權利要求11所述的像素結構，其中該第一透明主干電極、該第二透明主干電極與該多個透明分支電極為同一透明導電圖案層所構成。

14.如權利要求11所述的像素結構，其中該不透明主干電極設置于該透明主干電極之上。

15.如權利要求11所述的像素結構，其中該不透明主干電極設置于該透明主干電極之下。