[發明專利]像素結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201010224958.0
• 申請日: 2010-07-05
• 公開（公告）號: CN101894836A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 劉恩鴻;鄭景升;石志鴻
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1362
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

技術領域

本發明涉及一種像素結構及其制作方法，尤指一種利用不透明導電材料作為像素電極的主干電極的像素結構及其制作方法。

背景技術

隨著大尺寸液晶顯示面板的快速發展，液晶顯示面板必須具備廣視角特性，方能滿足使用上的需求，其中多區域垂直配向(multi-domain?vertical?alignment，MVA)液晶顯示面板因具有廣視角與短應答時間(response?time)等特性，因而成為目前大尺寸平面顯示面板的主流產品。

已知的多區域垂直配向液晶顯示面板通過凸塊結構來使不同區域的液晶分子的預傾方向不同，由此發揮廣視角的作用，然而凸塊結構的制作增加了工藝的復雜度，且凸塊結構會遮蔽部分光線，因此造成開口率(aperture?ratio)下降，進而降低了液晶顯示面板的亮度表現。

因此，業界另研發出一種高分子聚合配向(polymer?stabilized?alignment，PSA)技術，其利用高分子聚合物來取代多區域垂直配向液晶顯示面板中的凸塊結構，達到使不同區域的液晶分子具有不同預傾方向的作用，并由此發揮廣視角的效果。

在使用高分子聚合配向技術的液晶顯示面板中，由透明導電材料構成的像素電極具有沿垂直方向設置的主干電極，以及多條沿不同方向延伸的分支電極，由此達到使不同區域的液晶分子具有不同預傾方向的作用。此外，使用高分子聚合配向技術的液晶顯示面板在搭配使用線型偏光板時，可達到高對比的規格，而符合市場的需求。然而，在搭配使用線型偏光板的狀況下，僅有對應于像素電極的分支電極的液晶分子會貢獻亮度，而對應于像素電極的主干電極的液晶分子并無法貢獻亮度，因此造成了開口率下降的問題。此外，由于透明導電材料(例如氧化銦錫)的線寬極限約為4-5微米，所以在使用高分子聚合配向技術的液晶顯示面板應用于高解析度的顯示裝置時，上述問題更成為開口率無法進一步提升的主要原因。

發明內容

本發明的主要目的之一在于提供像素結構及其制作方法，以提升像素結構的開口率。

本發明的優選實施例提供一種像素結構，其包括基板、柵極線、柵極、絕緣層、半導體層、數據線、源極、漏極、平坦層以及像素電極。柵極線以及柵極設置于基板上，絕緣層覆蓋于基板之上，半導體層設置于絕緣層上，數據線、源極以及漏極設置于絕緣層與半導體層上，平坦層設置于數據線、源極與漏極之上，像素電極設置于平坦層上，其中柵極、半導體層、源極與漏極形成薄膜晶體管，平坦層具有暴露出漏極的接觸洞，且像素電極透過接觸洞與漏極電性連接。此外，像素電極包括不透明主干電極設置于該平坦層上以及多條透明分支電極，其中不透明主干電極包括第一不透明主干電極沿第一軸向設置，各透明分支電極的一端與第一不透明主干電極電性連接。

本發明的另一優選實施例提供一種制作像素結構的方法，包括下列步驟。提供基板，并形成第一不透明導電圖案層于基板上。接著形成絕緣層于基板上以覆蓋第一不透明導電圖案層，以及形成半導體層于絕緣層上。之后，形成第二不透明導電圖案層于絕緣層以及半導體層上，以及形成平坦層于第二不透明導電圖案層上。接著，形成第三不透明導電圖案層于平坦層之上，以及形成透明導電圖案層于平坦層之上。第一不透明導電圖案層包括柵極線以及柵極。第二不透明導電圖案層包括源極與漏極，其中柵極、半導體層、源極與漏極形成薄膜晶體管。平坦層具有接觸洞，暴露出漏極。透明導電圖案層包括多條透明分支電極，各透明分支電極的一端與第三不透明導電圖案層電性連接，以形成像素電極，且像素電極透過接觸洞與漏極電性連接。

本發明的像素結構利用不透明導電材料制作像素電極的主干電極，因此可縮減主干電極的線寬，進而提升像素結構的開口率。

附圖說明

圖1繪示了本發明的第一優選實施例的像素結構的俯視示意圖。

圖2為沿圖1的剖面線A-A’與B-B’所繪示的像素結構的剖面示意圖。

圖3繪示了本發明的第二優選實施例的像素結構的俯視示意圖。

圖4為沿圖3的剖面線A-A’、B-B’與C-C’所繪示的像素結構的剖面示意圖。

圖5繪示了本發明的第三優選實施例的像素結構的俯視示意圖。

圖6為沿圖5的剖面線A-A’、B-B’與C-C’所繪示的像素結構的剖面示意圖。

圖7繪示了本發明的第四優選實施例的像素結構的俯視示意圖。

圖8為沿圖7的剖面線A-A’、B-B’與C-C’所繪示的像素結構的剖面示意圖。

圖9繪示了本發明的第五優選實施例的像素結構的俯視示意圖。