[發明專利]室溫氧化物-酞菁銅雜化薄膜醇類氣敏元件及其制備方法

無效

• 申請號: 201010223651.9
• 申請日: 2010-07-12
• 公開（公告）號: CN101881745A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發明（設計）人: 李強;霍麗華;高山;趙輝
• 申請（專利權）人: 黑龍江大學
• 主分類號: G01N27/12
• 分類號: G01N27/12
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 韓末洙

1.室溫氧化物-酞菁銅雜化薄膜醇類氣敏元件，其特征在于室溫氧化物-酞菁銅雜化薄膜醇類氣敏元件從內至外依次由金叉指玻璃基片、氧化物薄膜和酞菁銅薄膜構成，其中的氧化物為Cr、Mo、Fe或Sn的氧化物。

2.如權利要求1所述的室溫氧化物-酞菁銅雜化薄膜醇類氣敏元件的制備方法，其特征在于室溫氧化物-酞菁銅雜化薄膜醇類氣敏元件的制備方法按以下步驟進行：一、按金屬硝酸鹽的濃度為0.008mol/L~0.013mol/L配制金屬硝酸鹽水溶液，然后再按金屬硝酸鹽與鹽酸的摩爾濃度比為2～4：1，向金屬硝酸鹽水溶液中加入濃度為6mol/L的濃鹽酸，攪拌均勻，得到混合液；二、將經步驟一得到的混合液加入到有回流裝置的反應器中，加熱至108℃~112℃并保持回流2h~8h，得到金屬氧化物溶膠；三、將金叉指玻璃基片以20mm/min～40mm/min的速度豎直浸沒到經步驟二得到的金屬氧化物溶膠中，停留2min～5min，再以20mm/min～40mm/min的速度將金叉指玻璃基片從溶膠中提出，然后將金叉指玻璃基片烘干；四、將步驟三的操作反復進行8~12次；五、將經過步驟四處理的金叉指玻璃基片在480℃~520℃的馬弗爐中燒結0.8h~1.2h，得到覆有氧化物薄膜的金叉指玻璃基片；六、用旋轉涂膜法將濃度為10^-4mol/L~10^-2mol/L的酞菁銅氯仿溶液甩涂在經步驟五得到的覆有氧化物薄膜的金叉指玻璃基片，滴加酞菁銅氯仿溶液時勻膠機的轉速為500轉/分~800轉/分，滴加時間為10s~20s，甩膜時勻膠機的轉速為3000轉/分~4000轉/分，甩膜時間為10s~30s，得到室溫氧化物-酞菁銅雜化薄膜醇類氣敏元件；步驟一中所述的金屬硝酸鹽為Cr、Mo、Fe或Sn的硝酸鹽。

3.根據權利要求2所述的室溫氧化物-酞菁銅雜化薄膜醇類氣敏元件的制備方法，其特征在于步驟一中金屬硝酸鹽的濃度為0.009mol/L~0.012mol/L，金屬硝酸鹽與鹽酸的摩爾濃度比為2.5～3.5：1。

4.根據權利要求2或3所述的室溫氧化物-酞菁銅雜化薄膜醇類氣敏元件的制備方法，其特征在于步驟二中加熱至109℃~111℃并保持回流3h~7h。

5.根據權利要求4所述的室溫氧化物-酞菁銅雜化薄膜醇類氣敏元件的制備方法，其特征在于步驟三中以25mm/min～38mm/min的速度豎直浸沒到經步驟二得到的金屬氧化物溶膠中，停留2.5min～4.5min，再以25mm/min～38mm/min的速度將金叉指玻璃基片從溶膠中提出。

6.根據權利要求2、3或5所述的室溫氧化物-酞菁銅雜化薄膜醇類氣敏元件的制備方法，其特征在于步驟四中操作反復進行9~11次。

7.根據權利要求6所述的室溫氧化物-酞菁銅雜化薄膜醇類氣敏元件的制備方法，其特征在于步驟五中馬弗爐的溫度為480℃~520℃、燒結時間為0.8h~1.2h。

8.根據權利要求2、3、5或7所述的室溫氧化物-酞菁銅雜化薄膜醇類氣敏元件的制備方法，其特征在于步驟六中酞菁銅氯仿溶液中酞菁銅的濃度為5×10^-4mol/L~8×10^-3mol/L。

9.根據權利要求8所述的室溫氧化物-酞菁銅雜化薄膜醇類氣敏元件的制備方法，其特征在于步驟六中滴加酞菁銅氯仿溶液時勻膠機的轉速為550轉/分~750轉/分，滴加時間為12s~18s。

10.根據權利要求2、3、5、7或9所述的室溫氧化物-酞菁銅雜化薄膜醇類氣敏元件的制備方法，其特征在于步驟六中甩膜時勻膠機的轉速為3200轉/分~3800轉/分，甩膜時間為12s~28s。