[發明專利]高壓裝置及形成此高壓裝置的方法有效

申請號：	201010222750.5	申請日：	2010-06-30
公開（公告）號：	CN102117807A	公開（公告）日：	2011-07-06
發明（設計）人：	鄭志昌;柳瑞興;姚智文;沈佳青;黃柏晟;楊富智;蔡俊琳;段孝勤	申請（專利權）人：	臺灣積體電路制造股份有限公司
主分類號：	H01L27/088	分類號：	H01L27/088;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/8234;H01L21/336
代理公司：	北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006	代理人：	陳紅
地址：	中國臺灣新竹市***	國省代碼：	中國臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	高壓裝置形成方法
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【說明書】：

技術領域

本發明一般是有關于半導體電路的電場，且特別是有關于高壓裝置及形成此高壓裝置的方法。

背景技術

持續追求小型化、可攜式及廉價的消費性電子裝置的需求，已經促使電子制造廠發展并制造以低電源供應電壓操作且具有低功率消耗的集成電路(Integrated?Circuits；IC)。此些裝置中有部分元件或許需要比上述的低電源供應電壓更高的電壓。例如，液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display；LCD)的驅動器(Drivers)可使用高壓(High?Voltage；HV)金屬氧化物半導體(Metal-Oxide-Semiconductor；MOS)晶體管(Transistors)來驅動LCD像素(Pixels)。

高壓金屬氧化物半導體結構通常具有一通道區(Channel?Region)及一漂移區(Driff?Region)。漂移區的間距通常大于通道區的間距。當高壓金屬氧化物半導體裝置的汲極源極導通電阻(Drain-To-Source?On?Resistance)R_dson需要降低時，可使用小的漂移區間距或較高的汲極電流來降低上述的電阻。然而，小的漂移區間距將犧牲掉高壓金屬氧化物半導體裝置的崩潰電壓(Breakdown?Voltage)，導致可靠度的問題。

發明內容

本發明的目的是在提供一種高壓裝置及形成此高壓裝置的方法，通過增加高壓裝置汲極與源極間的總接通電流，降低高壓裝置的汲極源極導通電阻R_dson。

在一實施例中，高壓裝置包含有設置在一基材中的第一摻雜型態的井區。第二摻雜型態的第一井區設置在第一摻雜型態的井區中。一隔離結構至少部分地設置在第一摻雜型態的井區中。一第一閘極電極設置在隔離結構與第二摻雜型態的第一井區之上。第二摻雜型態的一第二井區設置在第一摻雜型態的井區中。第二摻雜型態的第二井區與第二摻雜型態的第一井區之間具有一間隔。一第二閘極電極設置在第二摻雜型態的第一井區與第二摻雜型態的第二井區之間及之上。

在第二實施例中，形成高壓裝置的方法包含形成設置在一基材中的第一摻雜型態的井區。形成第二摻雜型態的一第一井區于第一摻雜型態的井區中。至少部分地形成一隔離結構于第一摻雜型態的井區中。形成一第一閘極電極于隔離結構與第二摻雜型態的第一井區之上。形成第二摻雜型態的一第二井區于第一摻雜型態的井區中，其中第二摻雜型態的第二井區與第二摻雜型態的第一井區彼此被間隔開。設置一第二閘極電極于第二摻雜型態的第一井區與第二摻雜型態的第二井區之間及之上。

本發明的優點在于，通過增加高壓裝置汲極與源極間的總接通電流，來降低高壓裝置的汲極源極導通電阻R_dson，避免可靠度的問題。

本揭露中的實施例及其它實施例，并同其特征在以下的說明與附圖中做更詳細地敘述。

附圖說明

為了能夠對本揭露有較佳的理解，請參照上述的詳細說明并配合相應的附圖。要強調的是，根據工業的標準常規，附圖中的各種特征并未依比例繪示且僅用來做為說明之用。事實上，為了討論的清楚起見，可任意地放大或縮小各種特征的尺寸。相關附圖內容說明如下：

圖1繪示高壓裝置的第一例示性實施例的剖面示意圖；

圖2繪示高壓裝置的第二例示性實施例的剖面示意圖；

圖3繪示顯示高壓裝置的例示性實施例中汲極源極電流增加的例示性模擬結果的示意圖；

圖4A至圖4D繪示形成高壓裝置的方法的例示性實施例的剖面示意圖；

圖5繪示包含集成電路設置在基板上的一例示性實施例的系統的示意圖。

【主要附圖標記說明】

100：高壓裝置????????????????101：基材

103：埋藏井區????????????????105：井區