[發明專利]高壓裝置及形成此高壓裝置的方法

有效

• 申請號: 201010222750.5
• 申請日: 2010-06-30
• 公開（公告）號: CN102117807A
• 公開（公告）日: 2011-07-06
• 發明（設計）人: 鄭志昌;柳瑞興;姚智文;沈佳青;黃柏晟;楊富智;蔡俊琳;段孝勤
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/8234;H01L21/336
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅

1.一種高壓裝置，其特征在于，包含：

一第一摻雜型態的一井區，設置在一基材中；

一第二摻雜型態的一第一井區，設置在該第一摻雜型態的該井區中；

一隔離結構，至少部分地設置在該第一摻雜型態的該井區中；

一第一閘極電極，設置在該隔離結構與該第二摻雜型態的該第一井區之上；

該第二摻雜型態的一第二井區，設置在該第一摻雜型態的該井區中，其中該第二摻雜型態的該第二井區與該第二摻雜型態的該第一井區之間彼此被間隔開；以及

一第二閘極電極，設置在該第二摻雜型態的該第一井區與該第二摻雜型態的該第二井區之間及之上。

2.如權利要求1所述的高壓裝置，其特征在于，還包含：

該第一摻雜型態的一摻雜區，設置在該第一摻雜型態的該井區中；

該第一摻雜型態的一埋藏井區，設置在該第一摻雜型態的該井區之下；以及

該第二摻雜型態的一第三井區，設置在該第一摻雜型態的該井區與該第一摻雜型態的該埋藏井區之間，其中該第二摻雜型態的該第三井區電性耦合至該第二摻雜型態的該第一井區。

3.如權利要求2所述的高壓裝置，其特征在于，該埋藏井區較長于該第三井區。

4.如權利要求2所述的高壓裝置，其特征在于，該第一摻雜型態的該摻雜區設定來接收一第一電壓，該第二摻雜型態的該第一井區與該第二摻雜型態的該第三井區設定來接收小于該第一電壓的一第二電壓，且該第一閘極電極與該第二閘極電極設定來接收一第三電壓，該第三電壓用以分別打開位于該第一閘極電極和該第二閘極電極之下的一第一通道和一第二通道，借此使得一第一電流經過該第一摻雜型態的該井區而在該第二摻雜型態的該第一井區與該第一摻雜型態的該摻雜區之間流動，且使得一第二電流經過該第一摻雜型態的該井區以及該第一摻雜型態的該埋藏井區而在該第二摻雜型態的該第二井區與該第一摻雜型態的該摻雜區之間流動。

5.如權利要求4所述的高壓裝置，其特征在于，還包含：

該第二摻雜型態的至少一第四井區，設置在該第一摻雜型態的該井區中，該第二摻雜型態的該至少一第四井區與該第二摻雜型態的該第二井區之間彼此被間隔開；以及

至少一第三閘極電極，設置在該第二摻雜型態的該第二井區中與該第二摻雜型態的該至少一第四井區之間及之上；

其中該第二摻雜型態的該至少一第四井區設定來接收該第二電壓，且該至少一第三閘極電極設定來接收該第三電壓，該第三電壓用以打開位于該至少一第三閘極電極之下的一第三通道，借此使得一第三電流經過該第一摻雜型態的該井區與該第一摻雜型態的該埋藏井區而在該第二摻雜型態的該至少一第四井區與該第一摻雜型態的該摻雜區之間流動。

6.如權利要求1所述的高壓裝置，其特征在于，還包含：

至少一第一金屬層，設置在該第一閘極電極之上，且與該第一閘極電極電性耦合，其中該至少一第一金屬層沿著位于該第一閘極電極之下的一通道的一方向延伸；

至少一第二金屬層，設置在該第一摻雜型態的一摻雜區之上，且與該第一摻雜型態的該摻雜區電性耦合，其中該第一摻雜型態的該摻雜區設置在該第一摻雜型態的該井區之中，該至少一第二金屬層沿著位于該第一閘極電極之下的該通道的該方向延伸；以及

一第四閘極電極，位于該隔離結構之上，其中該第四閘極電極電性耦合至該至少一第二金屬層。

7.一種形成一高壓裝置的方法，其特征在于，包含：

形成位于一基材中的一第一摻雜型態的一井區；

形成一第二摻雜型態的一第一井區于該第一摻雜型態的該井區中；

至少部分地形成一隔離結構于該第一摻雜型態的該井區中；

形成一第一閘極電極于該隔離結構與該第二摻雜型態的該第一井區之上；

形成該第二摻雜型態的一第二井區于該第一摻雜型態的該井區中，其中該第二摻雜型態的該第二井區與該第二摻雜型態的該第一井區彼此被間隔開；以及

形成一第二閘極電極于該第二摻雜型態的該第一井區與該第二摻雜型態的該第二井區之間及之上。